삼성전자가 14nm FinFET 공정에 이어 10nm FinFET 공정을 로드맵에 추가했다.
삼성반도체 파운드리 마케팅 수석 이사인 Kelvin Low는 지난 21일 삼성반도체 블로그를 통해 10nm FinFET 공정을 삼성 파운드리 프로세스 로드맵에 추가했음을 밝혔다.
지난 5월 초 프레스 행사를 통해 삼성반도체 Hong Hao 수석 부사장은 10nm 공정을 파운드리 로드맵에 추가하는 내용에 대해 언급했으며, 경쟁 업체인 TSMC가 목표하고 있는 2016년말에 맞춰 양산할 것이라고 밝혔는데 이번에 그 사실을 공식화 한 것이다.
Kevin Low는 10nm FinFET 공정에 3세대 FinFET 트랜지스터 기술이 들어가며 모바일, 소비자 가전, 네트워크 칩 디자인 등 다양한 솔루션을 활용될 수 있다고 설명했다.
또한 이미 10nm FinFET 공정의 PDK(공정 디자인 킷)과 실리콘 검증 IP를 갖췄으며 현재 주 고객들에게 MPW(Muliti-Project Wafer) 프로그램을 진행 중이라고 밝혔다. 10nm FinFET 공정 양산은 2016년말로 잡았으며 삼성반도체의 차세대 파운드리 사업이 될 것이라고 덧붙였다.
한편, 삼성전자가 이미 14nm FinFET 공정을 양산하고 있는 가운데 아직 20nm 공정이 주력인 TSMC는 올해 4분기에 16nm, 내년 말에 10nm 양산을 시작할 계획이지만 이미 14nm 공정에서도 삼성전자에게 몇 달 이상 뒤쳐진 상태에서 10nm 공정 양산이 제 때에 시작될 것인지 우려하는 목소리가 높다.
반면 인텔은 이미 2016년 2분기에 10nm 공정 제품을 출시할 수 있는 여건을 갖췄지만 PC 사업이 예전처럼 빠르게 성장하지 못하고 있는 관계로 10nm 도입을 2017년으로 연기할 것으로 알려졌다.
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