삼성전자 엑시노스 8895는 4Ghz에 10nm FinFET?

2016-08-11 11:46
길문혁 기자 ansgur0121@bodnara.co.kr

삼성전자의 차기 모바일 AP인 엑시노스 8895는 4Ghz에 10nm FinFET공정 기반이라는 소식이 확인됐다.

최신 퀄컴사의 APU인 스냅드래곤 820인 2.1GHz의 속도이며 추후 등장할 차기 모델인 830은 3.0GHz라는 루머가 일전에 보도된바 있다. 하지만 이번 소식은 조금 더 놀라운 소식이다. 엑시노스 8895는 삼성전자의 차기 플래그쉽 스마트폰인 S8에 탑재될 예정이며 그 스펙은 다음과 같다.

엑시노스 8895는 삼성전자의 차기 플래그쉽 스마트폰인 S8에 탑재될 예정이며, 동작속도는 빅코어(엑시노스)의 클럭이 최대 4.0GHz까지 테스트가 되고 있고 리틀코어(Cotrex-A53)의 경우 2.7GHz까지 테스트가 진행되고 있다는 정보다. 빅코어와 리틀코어로 나누었다는 점을 미루어 봤을때 아마 엑시노스8890처럼 4+4형태의 옥타 코어를 탑재할 것으로 분석된다. 더불어 소비전력의 경우 10nm기반으로 제조되는 만큼 상당부분 개선, 보완될 것으로 예상되고 있다.

실제 시중에 공급될 엑시노스 8895가 4.0GHz로 동작할지에 대해선 많은 의구심이 남으나 인텔 CPU의 터보부스트와 같은 개념으로 특정 상황에서 높은 동작속도로 보다 빠른 처리를 할 수 있도록 하지 않을까 하는 추측이 국내 커뮤니티를 비롯하여 해외에 이르기까지 많이 의견들이 나오고 있다.

앞서 언급했듯 엑시노스 8895는 10nm FinFET기반으로 제조될 예정이며 실제 내년에 출시될 S8에 탑재된다면 현재 양산준비의 마지막 단계 중으로 내년 1~2분기에 가면 보다 정확한 정보가 확인될 것으로 분석되고 있다.