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글로벌파운드리, 10nm 건너뛰고 7nm FinFET 공정 직행 발표

2016-09-19 12:18
이수원 수석기자 swlee@bodnara.co.kr

글로벌 파운드리(Global Foundries)가 10nm 공정을 건너 뛰고 7nm 공정으로 진입한다. 

글로벌 파운드리는 14nm 공정에 이은 차세대 7nm FinFET 공정 기술을 적용한 IP 테스트 칩을 Fab 8에서 만들기 시작했으며 일반 소비자를 위한 제품 디자인 생산은 2017년 하반기부터 시작해 2018년초에 본격적인 제품 양산 전 단계인 위험생산(Risk Production)을 시작할 계획이라고 밝혔다.

이를 위해 글로벌 파운드리는 수십억 달러를 투자해 현재 14nm FinFET 공정이 적용된 Fab 8의 주요 생산 설비와 공정 등을 재사용해 7nm FinFET 생산 라인을 만들 예정이다. 글로벌 파운드리 측은 이번 결정에 대해 10nm 공정이 투자 비용 대비 효율성이 높지 않아 향후 10년간 주력 공정으로 사용될 7nm FinFET 공정으로 바로 이동하기로 했다고 설명했다.

글로벌 파운드리에 따르면 7nm FinFET 신기술은 현재 주력으로 사용되는 16/14nm FinFET 공정 대비 2배 이상 많은 로직 밀도를 제공하며 30% 성능 향상이 가능한 것으로 알려졌다.

얼마 전 유출된 AMD 프로세서 로드맵에서는 차세대 ZEN 아키텍처 기반 7nm 공정 48코어 CPU 스타쉽이 2018년 출시 예정으로 나왔는데 이 역시 글로벌 파운드리의 7nm FinFET 양산 시점을 고려한 것으로 보인다.

한편, 인텔과 TSMC는 10nm 공정을 건너뛰지 않고 내년에 도입할 계획이지만, 이후 적용할 7nm 공정에 대해서는 TSMC가 글로벌 파운드리와 마찬가지로 2018년 1분기를 목표로 하고 있는데 비해 인텔은 틱톡 전략에서 전환된 3단계 전략과 기타 여러 문제로 7nm 공정은 2022년에야 도입할 거라는 루머가 나오고 있다.

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