JEDEC가 현재 주력 메모리 제품인 DDR3를 대체할 DDR4 메모리의 메인스트림 출시를 2013년 목표로 내세운 가운데, 인텔의 차세대 CPU 하스웰을 비롯해, 인텔이 2014년까지 DDR3 메모리를 유지할 것으로 알려졌다.
이런 가운데, JEDEC의 DDR4 메모리 관련 슬라이드로 짐작되는 문서를 인용해 sweclockers는 하이닉스가 2013년 상반기에 20nm 공정 기반 4Gb DDR4 메모리의 대량 생산을 시작할 계획인 것으로 전했다.
이는 JEDEC이 계획한 2013년 DDR4의 메인스트림화 정책의 일환으로 보이나, 하이닉스가 2013년 DDR4 메모리 대량 생산을 시작하더라도, 실제 DDR4 메모리를 활용하는 데스크탑과 노트북 플랫폼이 인텔은 물론 AMD측에서도 확인되지 않고 있어 실제 DDR4 메모리의 대중화는 2015년 이후가 될 것으로 점쳐지고 있다.
DDR4 메모리는 기존 DDR3 메모리가 기본 전압 1.5V, 저잔압 모델(DDR3L/U)이 각각 1.35V와 1.25V에서 동작하는 것과 달리 기본 1.2V, 저전압 모델 1.0V에서 동작해 동작시 소비 전력 40%, 휴지기시 35% 소비전력 감소 효과가 있고, JEDEC 표준 2400MHz 동작 클럭을 지원한다. |
