512를 하나 사려고 합니다.
유동선
조회 :
1655 ,
2004/09/29 13:06 |
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저희집 램이
메모리 모듈 속성
모듈명 Samsung M3 68L3223DTL-CB0
일련 번호 44049C97h
모듈 크기 256 MB (1 rows, 4 banks)
모듈 유형 Unbuffered
메모리 유형 DDR SDRAM
메모리 속도 PC2100 (133 MHz)
모듈폭 64 bit
몰듈 전압 SSTL 2.5
오류 검출 방법 없음
갱신율 축소 (7.8 us), Self-Refresh
최고 CAS 지연시간 2.5 (7.5 ns @ 133 MHz)
2번째 최고 CAS 지연시간 2.0 (10.0 ns @ 100 MHz)
메모리 모듈 특징
Early RAS# Precharge 미지원
Auto-Precharge 미지원
Precharge All 미지원
Write1/Read Burst 미지원
Buffered Address/Control Inputs 미지원
Registered Address/Control Inputs 미지원
On-Card PLL (Clock) 미지원
Buffered DQMB Inputs 미지원
Registered DQMB Inputs 미지원
Differential Clock Input 지원
Redundant Row Address 미지원
메모리 모듈 제조자
회사명 Samsung
제품 정보 http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/DRAM/index.htm
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메모리 모듈 속성
모듈명 Hyundai HYMD132 645A8-H
일련 번호 2608432Ch
모듈 크기 256 MB (2 rows, 4 banks)
모듈 유형 Unbuffered
메모리 유형 DDR SDRAM
메모리 속도 PC2100 (133 MHz)
모듈폭 64 bit
몰듈 전압 SSTL 2.5
오류 검출 방법 없음
갱신율 보통 (15.625 us), Self-Refresh
최고 CAS 지연시간 2.5 (7.5 ns @ 133 MHz)
2번째 최고 CAS 지연시간 2.0 (10.0 ns @ 100 MHz)
메모리 모듈 특징
Early RAS# Precharge 미지원
Auto-Precharge 미지원
Precharge All 미지원
Write1/Read Burst 미지원
Buffered Address/Control Inputs 미지원
Registered Address/Control Inputs 미지원
On-Card PLL (Clock) 미지원
Buffered DQMB Inputs 미지원
Registered DQMB Inputs 미지원
Differential Clock Input 지원
Redundant Row Address 미지원
메모리 모듈 제조자
회사명 Hynix Semiconductor Inc.
제품 정보 http://www.hynix.com/eng/products/dram/index.jsp
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이렇게 256 2개로 512입니다.
이번 기회에
DDR 삼성 512M PC2100를 하나 더 사려고 합니다.
메인보드는 MSI 865PE Neo2 입니다.
호환 될까요? |
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