(서울=연합뉴스) 맹찬형 기자 = 삼성전자가 세계 최초로 40나노급(1나노=10억분의 1ｍ) 공정을 적용한 DDR2 D램 제품을 개발했다고 4일 밝혔다. 이로써 삼성전자는 2005년 60나노급 D램 개발에 이어 2006년 50나노급 D램, 올해 40나노급 D램 제품을 잇달아 세계 최초로 개발해내는 기록을 이어가게 됐다. 특히 이번에 개발된 40나노급 DDR2 제품은 D램 공급 업체 중 유일하게 작년 12월 인텔에 단품 채용 평가를 완료한 데 이어 올해 1월 1기가바이트(GB) D...
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