(서울=연합뉴스) 맹찬형 기자 = 하이닉스반도체(대표 김종갑)는 44나노 공정기술을 적용해 세계 최초로 1기가비트(Gb) DDR3 D램을 개발, 올해 3분기부터 양산에 들어간다고 8일 밝혔다. 이 제품은 미국 인텔의 규격과 호환성을 만족하는 제품으로, 모듈 제품의 인증을 위한 실험도 조만간 인텔에 의해 진행될 예정이라고 하이닉스는 설명했다. 이번에 개발된 44나노 공정을 적용한 1기가비트 DDR3 D램은 현재 양산중인 54나노 공정 대비 약 50% 이상 생산성이 향상된 제품으로,...
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