|
 시작하며...
지금까지의 메모리 시장은 삼성과 하이닉스라는 대기업 위주의 체제 속에 변화 없이 지속되어 왔다고 해도 과언이 아닐 것입니다. 물론 가격에 대한 매리트도 별로 없었지만 호환성을 위주로 울며 겨자 먹기 식으로 사용해 왔다는 말이 맞겠지요. 하지만 중국, 대만 등에서 대량 생산 체제를 구축함으로서 D램의 생산 원가를 계속 떨어뜨리고 메모리 모듈을 수입하여 위탁 생산하는 국내 업체들의 늘어남에 따라 여러 외산 메모리를 우리 시장에서 쉽게 만날 수 있었으며 또한 대기업은 무거운 유통구조의 단점을 정확하게 파악하여 튼실한 중소 전문 유통기업들이 소비자의 불만사항인 품질과 고객지원 등을 강화하면서 메모리 시장의 의식을 완전히 바꿔놓기에 충분했습니다. 이결과 자연스럽게 가격의 담합을 막고 자유로운 경쟁이 유도되면서 가격의 안정화를 넘어 치열하게 생존하기 위해 여러 고객 서비스 정책들이 풍성하게 쏟아져 나와 소비자에게는 보다 많은 풍요로운 혜택과 입맛에 맞는 메모리를 구매할 수 있게 되어 개인적으로 상당히 바람직한 결과라고 생각합니다. 오늘 필자가 살펴볼 메모리 역시 미국 회사로 잘 알려진 ST 세미콘 메모리이다. 요즘 대세에 맞춰 평생무상보증 정책과 무난한 CL값을 자랑하며 저렴한 가격으로 방열판까지 선보이며 오버 클럭 매니아들에게도 어필할 수 있는 제품이라 하겠습니다. 물론 독특한 외형만으로는 좋은 평가를 받을수 없는 만큼 성능의 주안점을 두고 최선을 다해 테스트를 해보고자 합니다. 물론 시기가 좀 지난 DDR1 제품이란점이 좀 아쉽게 느껴집니다. 이렇게 필드테스트 기회를 주신 브레인 박스와 ST세미콘 관계자분들께 이글을 통해 감사의 마음을 전합니다.
제품의 구성과 특징
▲ 투명한 플라스틱 재질의 투명 하드 케이스로 개별 포장 되어 외부의 충격은 물론 파손우려까지 깔끔하게 해소합니다. 예전에 알루미늄 호일에 둘둘 감는 모습은 삼성 메모리 이외에는 요즘은 찾아보기 힘든거 같습니다.
▲ 성능 테스트에 함께 하게 될 GEIL 램과의 외형비교입니다.
▲ 단순 비교지만 GEIL 램에는 램타이밍 CAS의 값이 표기되어 있고 옆면의 방열판의 마감처리가 깔끔한 반면 ST 메모리에는 약간 아쉬움이 남는 부분이었습니다.
▲ ST메모리 제품은 알루미늄 히트 스프레더를 채택하였고 GEIL 메모리는 구리 히트 스프레더를 사용하여 무게감에 있어서도 더 무겁고 오버용이라는 애칭이 괜한 소리가 아님을 보여주네요. 동작전압에 있어서도 2.5V가 기본인데 반해 3.1V까지도 인가가 되도록 제조사가 보증을 하고 있습니다.
|
|
ST Memory PC 3200 400MHz DDR-SDRAM |
GEIL PC 3200 400MHz DDR-SDRAM |
|
메모리 종류 |
DDR SDRAM |
DDR SDRAM |
|
모듈 구성 |
64M X 64 16 pcs |
32 X 8 6 Layers Ultra Low Noises Shielded PCB |
|
용 량 |
512MByte |
512MByte |
|
타이밍 설정 |
CAS 3-4-4-8 (CL 3) |
CAS 2.5-3-3-6 (CL 2.5) |
|
동작 전압 |
2.5V |
2.5V~3.1V |
|
제조사 |
ST 세미콘 |
GEIL |
|
A/S 정책 |
LifeTime Warranty |
LifeTime Warranty |
|
문의처 |
http://www.stmemory.co.kr |
http://www.changnam.com |
▲ 스펙을 통한 ST 메모리와 GEIL 램의 비교
성능 테스트
|
테스트 환경 |
|
CPU |
INTEL PENTIUM 4 520 |
|
메인보드 |
ASUS P5GD1 PRO |
|
메모리 |
GEIL PC3200 512 DDR SDRAM*2(1GB)
ST PC 3200 512 DDR SDRAM*2(1GB) |
|
그래픽카드 |
ATI Radeon 9600 |
|
하드디스크 |
삼성 SATA 160GB |
|
ODD |
52X CDRW |
|
전원공급장치 |
NEWZEN NZ-450 |
|
케이스 |
GMC X21 LITE |
▲ Everest 통한 st 메모리를 살펴보면 166 MHz 에서는 CL 2.5의 빠른 레이턴시값을 갖지만 200MHz 에서는 CL 3의 비교적 평범한 값을 보입니다. 메모리에서 레이턴시에 민감한 이유는 레이턴시가빠르다는 것은 메모리에 데이터를 담을 때 명령을 수행해서 데이터를 보낼 때까지 걸리는 시간이 짧다는것을 의미하고 결국 그만큼 성능이 좋다고 말할수 있습니다 GEIL 램이 200MHz에서 CL 2.5의 레이턴시를 보여주는것은 최고의 장점이라 볼수 있겠죠
▲ GEIL DDR 400
▲ Everest와 3D mark 05와 06을 통해 메모리의 읽기, 쓰기. 지연시간등을 체크하며 GEIL램과 비교하여 테스트를 진행하였습니다. 역시 램타이밍이 값이 작을수록 램에 데이터를 읽고 쓰는 속도가 빠른것은 당연한 결과 같습니다. 하지만 두 제품의 차이는 거의 느낄수 없을 만큼 아주 작은 차이로 GEIL DDR 400 제품이 앞서는 것을 볼 수 있습니다. 물론 오차의 범위수준을 생각하면 거의 차이가 없다는 표현이 맞을거 같습니다.
▲ Sandra와 사이언스 마크 프로그램을 통해 메모리의 정수연산과 부동소수 연산을 통해 메모리 대역폭과 지연시간등을 측정하였습니다.
▲ CL 값에도 불구하고 읽고 쓰는 속도는 별반 차이가 없음에 굉장히 고무적이었습니다. 다만 레이턴시는 어쩔수 없는 약점이더군요 하지만 타제품들이 모두 CL 3을 가지고 있음을 생각하면 GEIL 램과의 비교가 별로라는 생각이 듭니다.
오버 클럭 테스트
▲ 여러번 시도를 해보았지만 최대 FSB가 900(PC-3600)일때 안정적인 윈도우 진입이 가능하였고 그것을 토대로 램을 비교테스트 하였습니다.
▲ 물론 램타이밍을 손을 대지 않고 FSB만을 이용하였으므로 진정한 오버클럭은 아니지만 사용자들이 가장 쉽게 해볼수 있는 방법으로 시스템의 안정적인 면을 가장 우선으로 고려하였습니다. 물론 체감 성능을 느끼기에는 부족하였지만 단순 수치만으로도 기분이 업되는 그런 느낌이었습니다. ST 메모리는 pc-4000(500MHz)에서는 부팅이 되질 않았습니다.
테스트를 마치며...
ST 메모리의 최대 장점은 부담없는 가격으로 무난한 성능을 갖춘 제품이라 할 수 있습니다. 또한 1년이내의 메모리 현금 보상제도와 평생 A/S 제도의 도입은 고객들에게 신롸감을 주기에 충분한 거 같습니다. 또한 미국에서 만들어졌다는 점에서 개인적으로 상당한 궁금증을 가지게 했던 제품이기도 합니다. 다만 제품에 대한 설명이 부족한 것이 아쉬운 점으로 남습니다, 보통은 스티커를 통해 제품의 CAS값을 고지를 하는것이 구매하는 소비자의 입장에서는 당연한 처사라 생각됩니다. 개인적으로는 획일적인 알루미늄 방열판도 아쉽게 느껴집니다. 아무리 제품의 성능이 우수하더라도 같은 가격이면 디자인 역시 구매욕의 상당부분을 차지한다는 점을 생각해 주셨으면 합니다. 마지막으로 필드테스트 기회를 주신 브레인 박스와 ST세미콘 관계자분들께 다시한번 이글을 통해 감사의 마음을 전합니다.
|
