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[SL-75DRV2] 바이오스 - 램 클럭 설정 부분 과 실제 사용기
오영삼
조회 : 1173 ,2001/12/20 03:46 |
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- 우선 램 클럭을 묻는 부분이 나옵니다.
이것은 일반적으로 시피유의 FSB 와 동기화되어 설정되므로 133 으로 잡힙니다. DDR 이라고 266으로 잡힌다고 생각하신다면 오해입니다. 그러나 이것을 SPD 값으로 설정할 경우 스펙상 이론적으로는 비동기화가 가능합니다. 따라서 PC 1600 짜리 램도 사용할 수 있습니다.
- 이번은 램 timing 입니다. 이것을 Manual 로 변경시 아래 부분의 세부설정이 가능하게 됩니다.
- 그 밑은 CAS latency 입니다. 이것은 기본값이 2.5 입니다. 그러나 램 오버를 원한다면 2.0 으로 설정하는 것이 좋습니다.
- bank interleave 는 대부분의 램이 4 bank 를 지원하므로 반드시 4 로 설정하는 것이 좋습니다.
- burst length 는 4 로 설정하는 것이 가장 빠릅니다.
- Dram queue depth 도 2 level 로 설정하는 것이 가장 빠릅니다.
- Dram command rate 는 별것이 아닌 것 같으나 의외로 큰 성능 차이를 보입니다.
- 그다음도 중요한 차이를 보이는 부분입니다. 바로 system performance 죠.
노말/fast/faster/fastest 로 구분됩니다.
-DDskew level 은 설정치가 HEX 로 구성되어 있어서 구체적 의미를 알아보지 못했으며 혹시나 하는 마음으로 다른 값을 변경해 보지는 않았다.
이런 설정으로 직접 테스트를 해보았습니다.
저는 모든 경우에 CAS latency 2 , 4 뱅크 인터리빙, fastest 로 설정했습니다.
command rate 의 경우 128 메가램의 경우 삼성은 1T 에서 불안정 했으나 하이닉스는 문제가 없었습니다. 램 혼용의 경우도 2T 로 설정시 안정적인 모습을 보였습니다. 256 메가짜리 램들에서는 이전에 1T 에서 불안한 모습을 보였다는 글들이 있으나 저는 시험해 보지 못했습니다.
시스템 퍼포먼스 설정의 경우 이것은 제가 조사한 바에 따르면 ( 이것 알아내는데 생각보다 시간이 많이 걸리더군요 --;;; 많은 참고 되길 바랍니다. ) CAS latency 를 2.5로 설정한 경우에 normal ( 2.5-3-3 ) / fast ( 2.5 -2-3 ) / faster (2.5-2-3) / fastest ( 2.5-2-2 ) 로 구분되며 각각의 설정시 가로안의 설정치와 일치합니다. 그러나 fast 와 faster 의 차이는 알 수가 없었습니다. --;;;
일단 삼성과 하이닉스의 비교에서 위의 셋팅으로 부팅상의 큰 문제는 없었습니다. 그런데 다른데서 문제가 생겼습니다. 하이닉스와 삼성 모두 드로네즈 벤치 를 통과하지 못하는 것이 아닙니까? 물론 시스템 퍼포먼스를 fast 로 설정시 이상 없이 작동하였습니다. 그러나 저는 fastest 설정을 사용하고 싶었습니다. 방법은 단 한가지! 램 전압을 2.6 볼트로 올렸습니다. 하하하....하이닉스는 모든 부하테스틀를 통과할 수 있었습니다. 그러나 삼성은 여전히 걸리더군요. 벅벅 그래서 fastest + 2T 로 하였더니 간신히 통과했습니다.
하이닉스의 보기좋은 완승이었습니다. ( 제가 개인적으로 삼성을 싫어합니다. 이해해 주시길.... 그러나 테스트 상의 편견은 없었으니 주지 바랍니다. )
둘의 성능비교에 대한 벤치는 실사용기때 자세히 올리겠습니다.
그리고 램으로 가는 전압을 체크한 결과 ( CMOS 의 하드웨어 모니터링 ( 스마트 독 & antiburn ..) 부분에 나옵니다. ) 2.61 로 잡히더군요. 다시한번 솔텍 보드의 전압설계에 감탄을 하지 않을 수 없었습니다.
다음은 실 사용기와 함께 올리겠습니다.
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