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[SL-75DRV2] 저도 정확한 설정변수 이름과 그 의미에 대해서는 잘 모르지만...
오영삼
조회 : 860 ,2001/12/20 16:59 |
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일단 하이닉스와 마이크론의 비교에서 큰 차이는 없다고 하더군요. 이것은 제가 사용해 본적이 없으나 하이닉스에 다니시는 분이 직접 테스트를 해보셨다고 합니다. 그러나 마이크론이 만드는 램 중에서 수율이 좋은 것을 크루시알 이라는 상표로 팔고 있습니다. 그러나 조금 더 비쌉니다.
초기에는 마이크론도 삼성과 마찬가지로 호환성에 문제가 보고 되기도 하였으나 현재는 큰 문제가 없다고 합니다. 간혹 불량은 있다고 하니 주의하시길... 이에 비하면 하이닉스는 별 탈이 없더군요. ^^
자세히는 저도 잘 모르지만....
CAS latency , Dram command rate 등은 모두 램에서 실행하는 명령설정입니다.
다시 말하면 데이터의 입력과 저장, 그리고 출력을 어떤 시간간격을 두고 하느냐를 설정하는 것이죠.
당연히 작은 수를 설정하는 것이 성능면에서 유리하죠. 램만 받쳐준다면 말이죠...__;;;
그러나 주의할 것은 burst, queue 설정은 이와 반대입니다. 참고하세요.
마지막으로 2.5-2-2 등의 표기에 대해 궁금하신것 같은데....
이것은 램 데이타 전송방식의 표시입니다. 차곡차곡 데이터를 저장하는데 옆의 빈공간으로으로 전송하는 시간을 나타내는 것이죠. 당연히 이것도 작은 수로 설정하는 것이 유리합니다.
좀더 공부좀 해보고 제가 틀린부분이 있다면 다시 올리겠습니다. ^^
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>그렇지 않아도...DDR램을 사용하는 보드를 처음 사용하는 터라...
>DDR램 설정에 애를 먹었는데 정말이지 큰 도움이 되었습니다.
>
>한데...몇가지 궁금한 점이 있습니다.
>저는 현재 마이크론의 DDR램 256을 두개 사용하고 있습니다.
>올리신 글에는...삼성과 하이닉스 제품에 대한 설명만 나와있는데...마이크론의 제품과 차이가 있는지요?
>그리고 CAS latency 설정중... 2.5 와 2의 차이는 얼마나 큰가요?
>또...Dram command rate 에서 1T와 2T의 차이점은 무엇인지요?
>마지막으로...올리신 글중..."CAS latency 를 2.5로 설정한 경우에 normal ( 2.5-3-3 ) / fast ( 2.5 -2-3 ) / faster (2.5-2-3) / fastest ( 2.5-2-2 )" 이부분이 이해가 가지 않습니다.
>
>우매한 질문인줄 알고있지만...
>제가 가진 하드웨어에 관한 지식이 너무 짧다보니...이런 부끄러운 질문을 하게되는군요.
>
>
>
>>- 우선 램 클럭을 묻는 부분이 나옵니다.
>>
>>이것은 일반적으로 시피유의 FSB 와 동기화되어 설정되므로 133 으로 잡힙니다. DDR 이라고 266으로 잡힌다고 생각하신다면 오해입니다. 그러나 이것을 SPD 값으로 설정할 경우 스펙상 이론적으로는 비동기화가 가능합니다. 따라서 PC 1600 짜리 램도 사용할 수 있습니다.
>>
>>- 이번은 램 timing 입니다. 이것을 Manual 로 변경시 아래 부분의 세부설정이 가능하게 됩니다.
>>- 그 밑은 CAS latency 입니다. 이것은 기본값이 2.5 입니다. 그러나 램 오버를 원한다면 2.0 으로 설정하는 것이 좋습니다.
>>- bank interleave 는 대부분의 램이 4 bank 를 지원하므로 반드시 4 로 설정하는 것이 좋습니다.
>>- burst length 는 4 로 설정하는 것이 가장 빠릅니다.
>>- Dram queue depth 도 2 level 로 설정하는 것이 가장 빠릅니다.
>>- Dram command rate 는 별것이 아닌 것 같으나 의외로 큰 성능 차이를 보입니다.
>>- 그다음도 중요한 차이를 보이는 부분입니다. 바로 system performance 죠.
>> 노말/fast/faster/fastest 로 구분됩니다.
>>-DDskew level 은 설정치가 HEX 로 구성되어 있어서 구체적 의미를 알아보지 못했으며 혹시나 하는 마음으로 다른 값을 변경해 보지는 않았다.
>>
>>이런 설정으로 직접 테스트를 해보았습니다.
>>
>>저는 모든 경우에 CAS latency 2 , 4 뱅크 인터리빙, fastest 로 설정했습니다.
>>
>>command rate 의 경우 128 메가램의 경우 삼성은 1T 에서 불안정 했으나 하이닉스는 문제가 없었습니다. 램 혼용의 경우도 2T 로 설정시 안정적인 모습을 보였습니다. 256 메가짜리 램들에서는 이전에 1T 에서 불안한 모습을 보였다는 글들이 있으나 저는 시험해 보지 못했습니다.
>>
>>시스템 퍼포먼스 설정의 경우 이것은 제가 조사한 바에 따르면 ( 이것 알아내는데 생각보다 시간이 많이 걸리더군요 --;;; 많은 참고 되길 바랍니다. ) CAS latency 를 2.5로 설정한 경우에 normal ( 2.5-3-3 ) / fast ( 2.5 -2-3 ) / faster (2.5-2-3) / fastest ( 2.5-2-2 ) 로 구분되며 각각의 설정시 가로안의 설정치와 일치합니다. 그러나 fast 와 faster 의 차이는 알 수가 없었습니다. --;;;
>>
>>일단 삼성과 하이닉스의 비교에서 위의 셋팅으로 부팅상의 큰 문제는 없었습니다. 그런데 다른데서 문제가 생겼습니다. 하이닉스와 삼성 모두 드로네즈 벤치 를 통과하지 못하는 것이 아닙니까? 물론 시스템 퍼포먼스를 fast 로 설정시 이상 없이 작동하였습니다. 그러나 저는 fastest 설정을 사용하고 싶었습니다. 방법은 단 한가지! 램 전압을 2.6 볼트로 올렸습니다. 하하하....하이닉스는 모든 부하테스틀를 통과할 수 있었습니다. 그러나 삼성은 여전히 걸리더군요. 벅벅 그래서 fastest + 2T 로 하였더니 간신히 통과했습니다.
>>
>>하이닉스의 보기좋은 완승이었습니다. ( 제가 개인적으로 삼성을 싫어합니다. 이해해 주시길.... 그러나 테스트 상의 편견은 없었으니 주지 바랍니다. )
>>둘의 성능비교에 대한 벤치는 실사용기때 자세히 올리겠습니다.
>>
>>그리고 램으로 가는 전압을 체크한 결과 ( CMOS 의 하드웨어 모니터링 ( 스마트 독 & antiburn ..) 부분에 나옵니다. ) 2.61 로 잡히더군요. 다시한번 솔텍 보드의 전압설계에 감탄을 하지 않을 수 없었습니다.
>>
>>다음은 실 사용기와 함께 올리겠습니다.
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