삼성전자가 세계 최초로 '3세대 10nm급(1z) 8Gb(기가비트) DDR4(Double Data Rate 4) DRAM’ 개발에 성공했음을 밝혔다.
삼성전자의 3세대 10nm급 DDR4 개발 성공 2세대 10nm급(1y) DRAM을 양산지 16개월만에 이룬 성과로, 3세대 10nm급(1z) DRAM은 초고가의 EUV 장비를 사용하지 않고도 기존 10nm급(1y) DRAM보다 생산성을 20% 이상 향상시켰고, 속도 증가로 전력효율 역시 개선됐다.
삼성전자는 2019년 하반기에 3세대 10nm급(1z) DRAM을 본격 양산하고, 2020년에는 성능과 용량을 동시에 높인 차세대 DRAM(DDR5, LPDDR5 등)을 본격적으로 공급하는 등 최첨단 공정 기반 프리미엄 메모리 기술 리더십을 더욱 강화해 나갈 계획이다.
삼성전자는 3세대 10nm급(1z) DRAM 기반 PC용 DDR4 모듈로 글로벌 CPU 업체의 모든 평가 항목에서 승인을 완료함으로써 글로벌 IT 고객의 수요를 본격 확대해 나갈 수 있게 되었다며, 삼성전자는 글로벌 주요 고객들과 차세대 시스템 개발단계부터 적극 협력해 글로벌 시장을 차세대 라인업으로 빠르게 전환시켜 나간다는 방침이다.
한편 삼성전자는 현재 글로벌 IT 고객의 공급 요구 수준에 맞춰 평택 최신 DRAM 라인에서 주력 제품의 생산 비중을 지속 확대 중으로, 2020년 차세대 프리미엄 DRAM의 수요 확대를 반영한 안정적 양산 체제를 평택에 구축함으로써 초격차 사업 경쟁력을 강화한다는 계획이다. |
