TSMC 7nm+ 공정 덕, AMD Zen3 트랜지스터 밀도 20% 개선?

2019-04-17 10:00
이상호 기자 ghostlee@bodnara.co.kr

Zen2 아키텍처 기반 3세대 라이젠의 출시가 임박한 가운데, AMD의 Zen3 아키텍처 관련 내용이 등장하기 시작했다.

pcgamesn에 따르면 출시를 앞둔 AMD의 라이젠 3000 시리즈를 잇는 차세대 라이젠 프로세서는 7nm+ EUV 공정을 바탕으로 트랜지스터 밀도가 약 20% 이상 증가할 것이란 전망을 내놨다.

글로벌파운드리가 7nm 전환을 포기하면서 AMD의 차세대 프로세서는 전량 TSMC를 통해 생산될 예정으로, 이미 양산이 시작된 7nm+ 공정과 달리 5nm 공정은 2020년 양산을 목표로 시험 생산을 진행 중이다.

5nm 공정 시험 생산 결과가 만족스런 수준으로 나왔지만 공정 전환과 양산이 계획대로 이뤄질지 확실치 않은 상태인 만큼 Zen3 제품에 어떤 공정이 쓰일지는 미지수지만, TSMC의 언급에 따르면 7nm+ 공정을 통해 트랜지스터 밀도 20% 개선과 소비전력 10% 감소 효과가 기대된다.

이에 따라 최소 7nm+ EUV 공정 적용이 예상되는 Zen3 역시 해당 수준의 개선이 예상되는데, 여기에 AMD의 아키텍처와 최적화 수준 개선이 병행된다면 Zen2 대비 괄목할 수준의 개선 효과가 기대된다.