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Teledyne e2v, ¿ìÁÖ¹æ»ç¼± °ßµð´Â DDR4 4GB DRAM ¹ßÇ¥

2020-05-27 11:58
ÀÌ»óÈ£ ±âÀÚ ghostlee@bodnara.co.kr

Áö±¸¿Í ºñ±³ÇÒ ¼ö ¾øÀ» Á¤µµ·Î °¡È¤ÇÑ È¯°æÀÎ ¿ìÁÖ¿¡¼­ »ç¿ëµÇ´Â ÀüÀÚ±â±â´Â ³»±¸¼º°ú ½Å·Ú¼ºÀÌ Áß¿äÇÑ ¸¸Å­, º¸Åë Á¦Á¶ °øÁ¤À̳ª ±â¼ú¸é¿¡¼­ ÃæºÐÈ÷ °ËÁõµÈ ±¸¼¼´ë Á¦Ç°ÀÌ ¾²À̰í Àִµ¥, ÇÁ¶û½º ±â¾÷ÀÎ Teledyne e2v¿¡¼­ ¿ìÁÖ È¯°æ¿¡ ´ëÀÀÇÏ´Â DDR4 ¸Þ¸ð¸®¸¦ ¹ßÇ¥Çß´Ù.

Ĩ ÀÚü´Â ¸¶ÀÌÅ©·ÐÀÇ Á¦Ç°ÀÌ ¾²¿´°í, µ¥ÀÌÅÍ Àü¼ÛÀ» À§ÇÑ 64bit¿Í ¿¡·¯ Á¤Á¤À» À§ÇÑ 8bit Á¤º¸ Àü¼ÛÀ» À§ÇÑ 72bit ¹ö½º¸¦ °®ÃèÀ¸¸ç, ´ÜÀÏ Ä¨ ÆÐŰÁöÀÇ ¿ë·®Àº 4GB, ¼Óµµ´Â 2133MHzÀÌÀÚ¸¸ ÇâÈÄ 2400MHz ±¸ÇöÀ» ¸ñÇ¥·Î Çϰí ÀÖ´Ù.

¿ìÁÖ ¿î¿ë Àåºñ žÀ縦 ¸ñÇ¥·Î °³¹ßµÇ¾î ÆÐŰÁö Å©±â´Â 15mm x 20mm x 1.92mm·Î ¼ÒÇüÈ­ÇÏ¿´°í, ¿î¿ë ¿Âµµ´Â NASA Level 1°ú ECSS Class 1¿¡ ÁØÇÏ´Â -55¡É ~ 125¡ÉÀÌ´Ù. ¿ìÁÖ ¹æ»ç¼±¿¡ ´ëÇÑ ½Å·Ú¼ºÀ» °®Ãß±â À§ÇÑ ÆÐŰ¡ ÀÛ¾÷°ú Å×½ºÆ®¸¦ °ÅÃÆÀ¸¸ç, ¹æ»ç¼± °ü·Ã ³»±¸ ±Ô°ÝÀº ´ÙÀ½°ú °°´Ù.

SEL LET Threshold > 60.88 MeV.cm²/mg

SEU LET Threshold 8.19 MeV.cm²/mg  Upset cross-section @ 60.88 MeV.cm²/mg = 5.55E-12 cm²/bit

SEFI LET Threshold 2.6 MeV.cm²/mg  SEFI cross-section @ 60.88 MeV.cm²/mg = 2.22E-4 cm²/device

TID Target 75 krad: results Summer 2020

ÀÌ ±â»çÀÇ ÀÇ°ß º¸±â
°Ô¸®Å³´ÞÃßÁ¾ÀÚ / 20-05-27 19:16/ ½Å°í
¿äÁò ³²¹Ì´Â Áö±¸ ÀÚ±âÀå ±¸¸ÛÀÌ ¶Õ·È´Ù°í ÇÏ´øµ¥ ±×·± °÷¿¡¼­ ÇÊ¿äÇÑ ¸Þ¸ð¸®°Ú±º¿ä.
´Ð³×ÀÓ lock
ºñȸ¿ø

º¸µå³ª¶ó ¸¹ÀÌ º» ´º½º
º¸µå³ª¶ó ¸¹ÀÌ º» ±â»ç

º¸µå³ª¶ó Ãֽбâ»ç
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[05/27] ÆàÁö ¼º¼ö, µµ½É ¼Ó ¿©¸§ ÇǼ­ °ø°£ ¡®ºí·çÁ¸¡¯ ¿î¿µ  
[05/27] Â÷¼¼´ë Hall Effect ±â¼ú Àû¿ëÇÑ 'Huntsman V3 HE Magnetic' ½Ã¸®Áî Ãâ½Ã  
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