하이닉스, 초고속 ECC모바일 DRAM 개발 |
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2007-03-16 11:29
장홍식 대표기자 
potatotree@bodnara.co.kr |
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하이닉스반도체(대표 우의제(禹義濟), www.hynix.co.kr)는 오류 검출·정정 기능을 하는 ECC(Error Correcting Code) 회로가 적용된 최고속 모바일 D램을 개발했다고 밝혔다.
이 제품은 동작시 오류 검출 및 정정 기능을 자체적으로 구현하면서도 업계 최고 수준인 최대 185MHz(메가헤르쯔)로 동작하며, 소비 전력을 절반 수준으로 줄인 것이 가장 큰 특징이다. 또한 32개의 정보출입구(I/O)를 통하여 최대 초당 1.46GByte(기가바이트)의 데이터를 처리할 수 있다.
이번에 개발된 185MHz 512Mb(메가비트) 모바일 D램은 80나노 공정 기술을 이용하여 휴대용 전자기기에 적합하도록 초소형으로 제작되었으며, 전력 소모를 줄이는 TCSR(온도에 따라 충전 속도 조절), PASR(대기시 데이터가 있는 부분만 충전), DPD(사용 중단시 D램 작동 차단) 등 전통적인 모바일 D램의 기능들도 포함되어 있다.
이 제품은 JEDEC(국제반도체표준협의기구) 규격을 만족하여 개발되어 기존 모바일 D램 제품을 쉽게 대체하여 사용할 수 있다. |
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