TSMC, High-K/ Metal Gate 이용한 28nm 공정 발표 |
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2008-09-30 11:14
권경욱 前 기자 
press@bodnara.co.kr |
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TSMC는 High-K/ Metal Gate를 이용한 제조 공정을 발표했고 이 기술은 32nm가 아닌 28nm 공정에 적용할 것이라는 소식이 fudzilla에 올라왔다.
TSMC는 앞으로 등장할 32nm 공정의 세부사항을 소개했으며, 45nm 공정 기술보다 32nm 공정은 가격적으로 이득이 있는 것으로 언급했다. 반면, 28nm 공정은 Full-node 공정을 이용하게 될 것으로 알려지고 있다.
TSMC는 28nm 공정에 2가지 옵션을 제공하는데 그 두 가지는 각각 SiON과 High-K/ Metal-Gate이다. 이 중 High-K/ Metal-Gate는 다시 저전력과 고성능의 두 가지 버전으로 나뉘게 된다.
TSMC는 초기에 32nm 공정에 High-K/ Metal-Gate를 적용할 것으로 소개했지만, 28nm 공정을 적용할 것으로 정책을 바꾸게 되었다.
현재 TSMC의 경쟁사로 알려진 IBM과 SAMSUNG은 High-K/ Metal-Gate 기술을 32nm 공정에 적용할 것으로 알려지고 있어 공정 경쟁에서 TSMC가 우위를 점하고 이들보다 기술적 우위에 있다는 것을 알리려는 것으로 보여진다. |
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