미국 샌프란시스코에서 열린 IDF 2012 (인텔 개발자 회의)에서 SK하이닉스는 DRAM 업계에서 처음으로 20nm급 공정으로 DDR4 메모리 개발에 성공했다고 밝혔다.
현재 주력으로 자리잡고 있는 DDR3 메모리를 대체할 차세대 DDR4 (Double Date Rate 4)는 1.2V로 동작하면서 데이터 전송속도는 최대 3200Mbps를 지원한다. 이에 따라 DDR3 메모리 (1.25V - 1.5V, 1600-2133Mbps)와 비교해 전력은 절반으로 줄어들면서 전송속도는 배로 늘어난다. SK하이닉스가 개발한 20nm급 DDR4 메모리는 인텔 연구소와의 상호 호환 작업을 성공적으로 마쳤다고 전해 안정성도 어느 정도 검증이 이루어진 것으로 알려졌다.
SK하이닉스는 20nm급 DDR4 샘플의 검증을 거친 후 2013년 하반기부터 양산에 들어갈 것이며, 30nm급 DDR4 제품 개발에 이어 20nm급 DDR4 양산을 위한 수율 확보도 큰 문제는 없을 것으로 전망했다.
삼성전자나 SK하이닉스 등의 주요 DRAM 제조사에서 DDR3를 대체할 차세대 DDR4 메모리 개발이 완료되면서 JEDEC (국제 반도체 표준협의기구)의 DDR4 표준 제정을 위한 움직임도 활발해질 것으로 예상되며, 업계 관계자는 2012년 내로 DDR4 표준이 마무리될 것으로 예상된다고 전했다.
현재 대부분의 PC나 노트북 플랫폼 등에서는 DDR3 메모리가 주력이고 DDR4 지원 플랫폼이 등장하지 않은 상황이므로 DDR4 메모리 개발이 완료되었다 하더라도 당장은 PC 플랫폼에 적용하기는 어렵다.
일부 소식은 인텔이 2013년 출시를 준비 중인 차세대 CPU 하스웰 (Haswell), 4세대 코어 프로세서가 DDR4 메모리를 적용할 것으로 알려졌다. 그러나 DDR3 메모리를 유지할 것이라는 소식에 보다 무게가 실리고 있기 때문에 시장이 활성화되지 않은 DDR4 메모리 도입 여부는 더 지켜봐야 할 것으로 예상된다. |
