미세공정으로의 이전은 비용과 기술적인 어려움 등으로 인해 연기되고 있는 가운데 현재의 GPU와 각종 칩셋에 적용한 28nm 공정보다 미세한 20nm 공정의 도입이 늦어지고 있는 가운데 TSMC의 20nm 고성능칩 생산 시기에 대한 소식이다.
TSMC를 비롯한 주요 파운드리사는 40nm 공정에서 28nm 공정, 그리고 20nm 공정으로의 이전을 준비하고 있으며 TSMC는 2013년 중으로 20nm 공정을 계획했으나 스케쥴의 재조정을 통해 2014년 초 20nm 공정 기반 칩 생산에 들어갈 것으로 알려졌다.
일반적으로 40nm 공정에서 28nm 공정으로의 이동은 트랜지스터 집적도를 30% 이상 증가할 수 있으며 저전력 구현이 가능하다. 이를 통해 같은 다이 사이즈에서도 더 많은 트랜지스터를 집적해 프로세서 또는 SoC의 클럭 향상과 성능, 저전력 등을 향상 가능해진다.
20nm 공정은 그러나 여전히 난향을 겪고 있으며 fudzilla는 최근 TSMC가 20nm 공정 기반 고성능칩 생산을 2014년 하반기부터 가능할 것으로 예상했다.
경쟁 파운드리사인 글로벌파운드리 (Globalfoundries)는 2014년 20nm 공정을 도입할 것을 약속하고 있으나 20nm 공정 기반 고성능 SoC 제조는 TSMC가 더 빠를 것으로 전망했다. 인텔은 14nm SoC인 브로드웰 (Braodwell) 등을 2014년 하반기 출시를 예상해 TSMC의 20nm 고성능칩 생산시기와 거의 비슷할 것으로 예상된다.
20nm 공정은 ARM 계열 모바일 AP의 더 빠른 칩 성능, 그리고 저전력에 고성능을 구현한 AMD와 엔비디아 (NVIDIA)의 차세대 GPU 적용 등에 영향을 미칠 것으로 알려진 만큼 차세대 칩셋의 중요한 열쇠가 될 것으로 알려졌다.
2014년에는 퀄컴 (Qualcomm) 스냅드래곤 (Snapdragon) 라인업과 엔비디아 테그라 5 (Tegra 5), 삼성전자의 엑시노스 (Exynos)가 28nm 공정으로 만들어지며 애플 (Apple)도 비슷한 시기에 차세대 모바일 칩 생산을 시작할 것으로 예상했다. |
