브로드컴 Henry Samueli CTO는 IEDM (International Electron Devices) 국제 컨퍼런스를 통해 최근의 반도체 공정 기술에 대해 밝혔다.
반도체 업계는 지난 30년 동안 무어의 법칙 (Moore's Law)에 근거해 공정 기술을 업그레이드 해왔으나 15년 이상이 지난 현재는 더 이상 이 법칙이 적용되기 어려울 것으로 보았으며 현존 반도체 기술의 물리적인 한계는 5nm 공정에 이르면 한계에 도달할 것이라고 전했다.
또한 그는 현재 다양한 칩셋에 적용하는 28nm 공정 이후부터는 제조에 따른 비용 측면의 혜택이 적을 것이라고 밝혔다. 이는 28nm 공정 이후에도 칩의 성능 향상과 전력 감소는 지속될 것이지만 28nm 이후의 미세공정은 제조 원가 즉, 생산 비용이 높아져 기존 공정보다 늘어날 것이라는 점을 의미해 새로운 해법이 필요할 것으로 전망했다.
브로드컴은 XLP 멀티코어 ARM 프로세서 아키텍처를 이전에 공개한 바 있는데 여기에는 20nm 공정을 건너뛰고 16nm FinFET 트랜지스터 공정 기술을 적용할 것으로 알려졌다.
현재 반도체 기술은 10nm 또는 약간 낮은 미세공정 적용이 한계가 될 것으로 알려졌으며 인텔은 2017년 7nm 공정 도입을 시작할 것으로 예상된다. 그러나 Samueli는 7nm 공정 기술 이후 반도체 공정은 물리적 한계에 도달할 것이며 5nm 공정은 원자 10개 트랜지스터 크기로 물리적 한계에 가깝다고 전했다.
한편 IEDM 컨퍼런스에서는 CMOS를 대체할 새로운 기술과 원자 크기보다 얇은 최대 1000GHz 주파수 그래핀 (Graphiene, 탄소 원자가 육각 벌집 모양 형태로 연결된 2차원 평면 구조 물질로 꿈의 신소재로 불린다. 전기 전도성이 반도체에 사용하는 실리콘보다 100배 이상 빠르며 외부 전력 공급 없이 휘거나 누르거나 진동을 주면 스스로 전력이 발생해 휘는 디스플레이기기의 전력 문제를 해결 가능할 것으로 알려졌다.) 트랜지스터 제조 기술 등을 공개할 것으로 알려졌다. 삼성전자와 IBM은 유사한 연구를 진행 중이나 이들 기술의 양산까지는 아직도 거리가 있는 것으로 알려졌다. |
