SK하이닉스(www.skhynix.com, 대표이사: 박성욱)가 세계 최초로 20나노급 8Gb(기가비트) DDR4 기반 최대용량 128GB(기가바이트) 모듈을 개발했다고 밝혔다.
이 제품은 2개 이상의 칩을 수직 관통하는 전극을 형성해 칩 간 전기적 신호를 전달, 성능은 높이면서 크기를 줄일 수 있는 패키지 방식인 TSV(Through Silicon Via, 실리콘관통전극) 기술을 활용, 기존 최고 용량인 64GB의 두 배에 이르는 최대용량을 구현했다.
속도 측면에서도 DDR3의 데이터 전송속도인 1333Mbps보다 빠른 2133Mbps를 구현했으며, 64개의 정보입출구(I/O)를 가진 모듈을 통해 초당 17GB의 데이터를 처리할 수 있다. 동작전압도 기존 DDR3의 1.35V에서 1.2V로 낮췄다.
SK하이닉스는 최근 8Gb DDR4 기반 64GB 모듈에 이어 128GB까지 세계 최초로 연속 개발해 주요 고객에 샘플을 제공함으로써 서버용 D램 시장에서도 기술리더십을 이어 나가게 되었다고 평가했으며, 이 제품을 2015년 상반기부터 본격 양산할 계획이다.
SK하이닉스 DRAM개발본부장 홍성주 전무는 “세계 최초로 128GB DDR4 모듈을 개발함으로써 초고용량 서버 시장을 열어간다는 데 의의가 있다”며 “향후에도 고용량, 초고속, 저전력 제품을 지속 개발해 프리미엄 D램 시장을 주도해 나갈 것”이라고 밝혔다.
한편, 시장조사기관 가트너(Gartner)에 따르면 서버용 D램 시장은 모바일 환경 확대에 따라 2018년까지 연평균 37%에 이르는 고성장을 이어갈 전망이다. 더불어, DDR4 D램은 2014년 고객 인증을 시작으로 2015년부터는 시장이 본격화돼 2016년 이후에는 시장 주력 제품이 될 것으로 예상된다.
