¹Ì¼¼°øÁ¤ µµÀÔÀÌ Á¡Á¡ ¾î·Á¿öÁö°í ÀÖ´Â °¡¿îµ¥ À̸¦ ±Øº¹ÇÒ ´Ù¾çÇÑ ±â¼úÀÌ ¼Ò°³µÇ°í ÀÖÀ¸¸ç °øÁ¤ ¹× Á¦Ç° »ý»ê Çâ»óÀ» À§ÇÑ EUV ¸®¼Ò±×·¡ÇÇ (Lithography) ±â¼úµµ ±× Áß Çϳª´Ù.
EUV ¸®¼Ò±×·¡ÇÇ ±â¼ú°ú Àåºñ´Â ASMLÀÌ °ø±ÞÇÏ°í Àִµ¥ ÀÌ ±â¼úÀº ÀÎÅÚÀÌ °¡Àå ¸ÕÀú µµÀÔÇÒ °ÍÀ¸·Î ¿¹»óµÇ¾úÀ¸³ª TSMC°¡ ÀÎÅÚ¿¡ ¾Õ¼ EUV ¸®¼Ò±×·¡ÇÇ ±â¼úÀ» Àû¿ëÇÒ °ÍÀ̶ó´Â ¼Ò½ÄÀÌ´Ù.
¼Ò½ÄÀ» ÀüÇÑ expreview´Â ASMLÀÌ EUV Àåºñ¸¦ ¼±ÀûÇÏ°í ÀÖÀ¸¸ç 2016³â¿¡´Â 10nm °øÁ¤ ³ëµå¿¡¼ EUV ¸®¼Ò±×·¡ÇÇ ±â¼úÀÌ Ãâ½Ã, ±×¸®°í ÀÎÅÚ¿¡ ¾Õ¼ TSMC°¡ À̸¦ µµÀÔÇÒ °ÍÀ¸·Î º¸Àδٰí ÀüÇß´Ù.
±×¿¡ µû¸£¸é ASMLÀÌ °ø°³ÇÑ EUV ¼³ºñ ¿¹Ãø ·Îµå¸ÊÀ» °ø°³Çߴµ¥ TSMC´Â 2´ëÀÇ NXE:3300B¸¦ ±¸ÀÔÇß°í 2015³â °ø±Þ¹ÞÀ» ¿¹Á¤ÀÎ °ÍÀ¸·Î ¾Ë·ÁÁ³´Ù. ÀÌ´Â °ð ÀÎÅÚº¸´Ù TSMC°¡ EUV ¸®¼Ò±×·¡ÇÇ °øÁ¤À» ¸ÕÀú Àû¿ëÇÒ °ÍÀ̶ó´Â °ÍÀ» ÀǹÌÇϸç TSMC´Â 2016³â 10nm¿Í EUV °øÁ¤ °¡µ¿À» ½ÃÀÛÇÒ °ÍÀ¸·Î ¿¹»óÇß´Ù.
ÀÎÅÚÀº ´Ù¸¥ ÆÄ¿îµå¸®»çº¸´Ù EUV ±â¼ú µµÀÔ¿¡ Àû±ØÀûÀÎ ¸ð½ÀÀ» º¸¿©¿Ô°í ±â¼ú·Â¸é¿¡¼µµ ¾Õ¼°í ÀÖ¾î °¡Àå ºü¸¥ µµÀÔÀÌ ¿¹»óµÇ¾úÁö¸¸ À̺¸´Ù ´ÊÃçÁú °ÍÀ¸·Î Àü¸ÁÇß´Ù. ÀÎÅÚÀº 10nm °øÁ¤¿¡¼ EUV¸¦ µµÀÔÇÏÁö ¾Ê´Â ´ë½Å 2018³â µîÀåÇÒ 7nm °øÁ¤¿¡ EUV °øÁ¤À» µµÀÔÇÒ °ÍÀ¸·Î ¿¹»óÇß´Ù.
ÇöÀç ASMLÀÇ EUV ¸®¼Ò±×·¡ÇÇ ÀåºñÀÎ NXE:3300B´Â 80W Ãâ·ÂÀ¸·Î ÇÏ·ç 5¹éÀåÀÇ ¿þÀÌÆÛ, 125W¿¡¼´Â ÇÏ·ç¿¡ 1õÀå »ý»ê °¡´ÉÇϸç, 2016³â ¾ç»ê ¸ðµ¨¿¡¼´Â 250W¿¡¼ ÇÏ·ç¿¡ 1500ÀåÀÇ ¿þÀÌÆÛ »ý»êÀÌ °¡´ÉÇÒ °ÍÀ¸·Î ¾Ë·ÁÁ³´Ù.
ASMLÀº 2016³â EUV ±â¼úÀÌ 10nm °øÁ¤¿¡ µµÀÔµÈ ÀÌÈÄ 2019³â¿¡´Â ³½µå Ç÷¡½Ã (NAND Flash) ¸Þ¸ð¸®, DRAM°ú MPU¿¡µµ 2018³â Àû¿ëµÇ¾î Ĩ ¸éÀû°ú È¿À² Çâ»ó, 2020³â¿¡´Â 50-60´ëÀÇ EUV Àåºñ¸¦ ÆǸÅÇØ 120¾ï ´Þ·¯ÀÇ ¼öÀÍÀ» °ÅµÑ ¼ö ÀÖÀ» °ÍÀ¸·Î Àü¸ÁÇß´Ù. |