»ï¼ºÀüÀÚ´Â 14nm FinFET ¾ç»ê¿¡ µé¾î°£ °ÍÀ¸·Î ¾Ë·ÁÁö¸é¼ 14nm °øÁ¤ÀÌ °æÀïÀÌ º»°Ý鵃 °ÍÀ¸·Î º¸ÀδÙ.
¼Ò½ÄÀ» ÀüÇÑ expreview´Â »ï¼ºÀüÀÚ´Â ÃÖ±Ù 14nm FinFET ±â¼úÀÇ ¾ç»êÀ» ½ÃÀÛÇß´Ù°í ¹ßÇ¥Çß°í ÇØ´ç ±â¼úÀ» ÀÌ¿ëÇÒ °ÍÀ¸·Î ¾Ë·ÁÁø ¾ÖÇà (Apple)°ú AMD´Â 2015³â¿¡ À̸¦ ÀÌ¿ëÇϴµ¥ µû¸¥ ÇýÅÃÀ» ¹ÞÀ» °ÍÀ¸·Î ¿¹»óÇß´Ù.
»ï¼ºÀüÀÚ´Â ¾ÆÁ÷ °ø°³µÇÁö ¾Ê¾ÒÀ¸³ª ÀÚ»çÀÇ »õ·Î¿î ¸ð¹ÙÀÏ AP ¿¢½Ã³ë½º (Exynos) ½Ã¸®Áî¿¡ óÀ½À¸·Î 14nm °øÁ¤À» µµÀÔÇÒ °ÍÀ¸·Î ¿¹»óµÇ¸ç ¾ÖÇðú AMD¸¦ ºñ·ÔÇÑ ÁÖ¿ä Á¦Á¶»ç ¿ª½Ã 14nm °øÁ¤À» ÀÌ¿ëÇÑ Á¦Ç° »ý»êÀÌ °¡´ÉÇÒ °ÍÀ¸·Î ¿¹»óµÈ´Ù.
°æÀï ÆÄ¿îµå¸® ¾÷üÀÎ TSMC´Â 28nm¿Í 28nm °øÁ¤À» ´Ù¸¥ ÆÄ¿îµå¸®º¸´Ù ¸ÕÀú µµÀÔÇßÁö¸¸ Â÷¼¼´ë 16nm¿Í 14nm °øÁ¤Àº ´Ù¼Ò ¿¬±âµÇ°í ÀÖÀ¸¸ç ±×¿¡ µû¶ó ¾ÖÇÃÀº »ï¼º¿¡ A9 ÁÖ¹®ÀÇ Àý¹ÝÀ» °¡Á®°¥ °ÍÀ̶ó´Â ·ç¸Óµµ ÀüÇØÁö°í ÀÖ´Ù.
14nm °øÁ¤À» µµÀÔÇÑ ¶Ç´Ù¸¥ ¾÷ü´Â ÀÎÅÚÀÌ´Ù. ÀÎÅÚÀº 14nm 3D Æ®·£Áö½ºÅÍ ±â¼ú·Î ÀÚ»çÀÇ ºê·ÎµåÀ£ (Broadwell) ÄÚ¾î M ½Ã¸®Á Ãâ½ÃÇϱ⠽ÃÀÛÇßÀ¸¸ç ÀÎÅÚÀº »ï¼ºÀüÀÚº¸´Ù 14nm °øÁ¤ µµÀÔÀÌ ¸î °³¿ù ´õ »¡¶ú´Ù. »ï¼ºÀüÀÚ´Â ±Û·Î¹úÆÄ¿îµå¸® (Globalfoundries)¿Í Çù·ÂÀ» ÅëÇØ 14nm °øÁ¤ µµÀÔÀ» ½ÃµµÇß°í ÀÌÁ¦ ¾ç»ê¿¡ µé¾î°£´Ù.
14nm FinFET ±â¼úÀº À̸¦ °³¹ßÇÑ Á¦Á¶»ç¿¡ µû¸£¸é 20nm °øÁ¤ ±â¼ú°ú ºñ±³ÇØ ÄÚ¾î ¸éÀûÀº 15% ÁÙÀÌ¸é¼ Àü·ÂÀº 35% °¨¼Ò, Ŭ·°(ÁÖÆļö)Àº 20% °¡·® Çâ»óÇÒ ¼ö ÀÖ¾î °ÅÀÇ ¸ðµç ºÎºÐ¿¡¼ Çâ»óÀÌ °¡´ÉÇØÁø´Ù.
»ï¼ºÀüÀÚ´Â 14nm °øÁ¤ ¼öÀ²¿¡ ´ëÇؼ´Â ±¸Ã¼ÀûÀÎ ¾ð±ÞÀº ÇÏÁö ¾Ê¾ÒÀ¸³ª CES 2015¸¦ ÅëÇØ 14nm °øÁ¤ ±â¹ÝÀ» óÀ½À¸·Î Àû¿ëÇÑ ¿¢½Ã³ë½º ½Ã¸®Áî µîÀåÀ» ¿¹»óÇßÀ¸¸ç 14nm FinFET ±â¼úÀ» ÀÌ¿ëÇÏ´Â ¾ÖÇà Â÷±â A9ÀÇ ÁÖ¹®À» Àý¹Ý ÀÌ»ó, TSMC°¡ 40-50%¸¦ ´ã´çÇÒ °ÍÀ¸·Î º¸°í ÀÖ´Ù.
AMD´Â ±Û·Î¹úÆÄ¿îµå¸®¸¦ ÅëÇØ »ï¼ºÀÇ 14nm FinFET ±â¼úÀ» ÀÌ¿ëÇÒ °ÍÀ¸·Î º¸À̸ç Â÷¼¼´ë Zen ÇÁ·Î¼¼¼¿¡ À̸¦ µµÀÔÇÒ °ÍÀ¸·Î ¿¹»óÇß´Ù. 14nm °øÁ¤ÀÌ µµÀÔµÇ¸é ±×µ¿¾È °ÝÂ÷¸¦ º¸ÀÎ °øÁ¤¿¡ µû¸¥ ¼º´É Çâ»óÀ̳ª Àü·Â È¿À² °³¼± µî ´Ù¾çÇÑ Çâ»óÀÌ ¿¹»óµÇ¸ç ÀÎÅÚ°úÀÇ °æÀïµµ ±â´ëÇÒ ¼ö ÀÖÀ» °ÍÀ¸·Î ¿¹»óµÈ´Ù. |