¸ð¹ÙÀÏ ½ÃÀåÀ» Ÿ°ÙÀ¸·ÎÇÑ 14nm °øÁ¤ÀÇ ÀÎÅÚ ºê·ÎµåÀ£ ±â¹Ý ÇÁ·Î¼¼¼¿Í °ü·Ã Á¦Ç°µôÀÌ Ãâ½ÃµÇ°í ÀÖ±ä ÇÏÁö¸¸ °øÁ¤ ¹®Á¦·Î ´çÃÊ ¿¹Á¤ Ãâ½ÃÀÏ º¸´Ù »ó´ç ±â°£ ¿¬±âµÇ¾ú¾ú´Âµ¥, ÀÎÅÚ¿¡¼ Áغñ ÁßÀÎ 10nm °øÁ¤ Á¦Ç° ¶ÇÇÑ °°Àº ÀÌÀ¯·Î ¿¬±âµÉ °¡´É¼ºÀÌ Á¦±âµÇ¾ú´Ù.
SemiconductorEngineering¿¡ µû¸£¸é, ÀÎÅÚÀº ´çÃÊ 3¿ù Áß¿¡ 10nm °øÁ¤ ´ë·®»ý»ê¿ë Àåºñ¸¦ ±¸¸ÅÇÒ °èȹÀ̾úÀ¸³ª ÀÌ·¯ÇÑ Àåºñ µµÀÔÀÌ 12¿ù±îÁö ¿Ï·áµÇ±â ¾î·Á¿ï °ÍÀ̶ó´Â Àü¸ÁÀ» ³»³ùÀ¸¸ç, ÀÌ¿¡ µû¶ó 10nm °øÁ¤À» »ç¿ëÇÒ Ä³³í·¹ÀÌÅ©(Cannonlake) ¶ÇÇÑ Ãâ½Ã°¡ ¿¬±âµÉ °ÍÀ¸·Î Àü¸ÁµÈ´Ù.
ÀÎÅÚÀº ÇöÀç ¿À¸®°ï Èú½ººê·Î¿¡ À§Ä¡ÇÑ D1X °³¹ß ÆÕ¿¡¼ ¼Ò±Ô¸ð 10nm ½ÃÇè »ý»ê ¶óÀÎÀ» ¼¼ÆÃ ÁßÀ¸·Î, ÀÎÅÚÃøÀº À̹ø 10nm µµÀÔ ¿¬±â ¼Ò½Ä¿¡ ´ëÇØ º°µµ ÀÔÀå Ç¥¸íÀº ÇÏÁö ¾Ê°í ÀÖÀ¸³ª, À̹ø ¼Ò½ÄÀÌ »ç½ÇÀÏ °æ¿ì ´çÃÊ 2017³â ÃÊ·Î ¾Ë·ÁÁ³´ø 10nm Á¦Ç° Ãâ½Ã ÀÏÁ¤ÀÌ 2017³â ÇϹݱâ, ¶Ç´Â 2018³â ÃÊ·Î ¿¬±âµÉ °¡´É¼ºµµ Á¡Ãĺ¼ ¼ö ÀÖÀ» °ÍÀÌ´Ù.
ÇÑÆí, ÀÎÅÚÀº Â÷¼¼´ë ¹ÝµµÃ¼ »ý»ê ¶óÀÎ Áõ¼³ ¹× ¾÷±×·¹À̵带 À§ÇØ À̽º¶ó¿¤¿¡ 5.5¾ï´Þ·¯¸¦ ÅõÀÚÇϱâ·Î °áÁ¤ÇÑ ¹Ù ÀÖÀ¸¸ç, ÀÌ´Â À̽º¶ó¿¤¿¡ À§Ä¡ÇÑ Fab 28ÀÇ »ý»ê¼³ºñ¸¦ 10nm±ÞÀ¸·Î ¾÷±×·¹À̵åÇϱâ À§ÇÑ °ÍÀ¸·Î, Fab 28Àº ÇöÀç 22nm±Þ »ý»ê ¶óÀÎÀ» °®Ãß°í ÀÖ´Ù. |