삼성전자가 시스템 반도체 투자 계획을 발표했다.
삼성전자는 2030년까지 메모리 반도체 뿐만 아니라 시스템 반도체 분야에서도 글로벌 1위를 달성하겠다는 '반도체 비전 2030'을 위해 시스템 반도체 분야 투자를 강화한다고 밝혔다.
먼저 시스템 반도체(파운드리 및 시스템LSI 사업) 사업경쟁력 강화를 위해 2030년까지 국내 R&D(연구개발) 분야에 73조원, 최첨단 생산시설 인프라에 60조원 등 총 133조원을 투자한다.
R&D 투자금액으로 국내 시스템 반도체 연구개발 인력 양성에 기여하고 기술경쟁력 강화를 위해 시스템 반도체 R&D 및 제조 전문인력 15,000명을 채용할 계획이다. 또한 향후 화성캠퍼스 신규 EUV라인을 활용해 생산량을 증대하고 국내 신규 라인 투자도 지속 추진할 계획이다.
삼성전자는 이 같은 계획이 실행되면 2030년까지 연평균 11조원의 R&D 및 시설투자가 집행되고, 생산량이 증가함에 따라 42만명의 간접 고용유발 효과가 발생할 것으로 예상했다.
자체 기술과 생산 시설 외에 국내 팹리스 업체를 지원하는 등 상생협력을 통한 한국 시스템 반도체 사업생태계 강화 방안도 내놓았다.
국내 중소 팹리스 고객들이 제품 경쟁력을 강화하고 개발기간도 단축할 수 있도록 인터페이스IP, 아날로그 IP, 시큐리티(Security) IP 등 삼성전자가 개발한IP(Intellectual Property, 설계자산)를 호혜적으로 지원한다.
또한, 보다 효과적으로 제품을 개발할 수 있도록 삼성전자가 개발한 설계/불량 분석 툴(Tool) 및 소프트웨어 등도 지원할 계획이다.
삼성전자 측은 소품종 대량생산 체제인 메모리 반도체와 달리 다품종 소량생산이 특징인 시스템 반도체 분야의 국내 중소 팹리스업체는 지금까지 수준 높은 파운드리 서비스를 활용하는데 어려움이 있었는데, 이를 해소하기 위해 반도체 위탁생산 물량 기준도 완화해, 국내 중소 팹리스업체의 소량제품 생산을 적극적으로 지원할 계획이라고 설명했다.
또한 국내 중소 팹리스 업체의 개발활동에 필수적인 MPW(Multi-Project Wafer)프로그램을 공정당 년 2~3회로 확대 운영한다.
삼성전자는 국내 디자인하우스 업체와의 외주협력도 확대해 나갈 계획이라고 덧붙였다.
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