SK하이닉스, 3세대 10nm 공정 16Gbit DDR4 DRAM 개발

2019-10-22 09:31
이상호 기자 ghostlee@bodnara.co.kr

SK하이닉스가 3세대 10nm(1z) 미세공정을 적용한 16Gbit(기가비트) DDR4 DRAM 개발을 발표했다.

SK하이닉스는 3세대 10nm 미세공정 기반 DRAM에 대해 2세대(1y) 제품 대비 생산성이 약 27% 향상됐으며, 초고가의 EUV(극자외선) 노광 공정 없이도 생산 가능해 원가 경쟁력을 갖췄고, 단일 칩 기준 업계 최대 용량인 16Gb를 구현해 웨이퍼 1장에서 생산되는 메모리 총 용량도 현존 DRAM 중 가장 크다고 자부심을 나타냈다.

데이터 전송 속도는 DDR4 규격의 최고 속도인 3200Mbps까지 지원, 전력 효율도 2세대 8Gb 제품으로 만든 동일 용량의 모듈보다 전력 소비를 약 40% 줄이고, 신규 물질을 적용해 DRAM 동작의 핵심 요소인 정전용량(Capacitance)을 높이는 한편 새로운 설계 기술을 도입해 동작 안정성도 높였다.

SK하이닉스는 차세대 모바일 DRAM인 LPDDR5와 최고속 DRAM HBM3 등 다양한 응용처에 걸쳐 3세대 10나노급 미세공정 기술을 확대 적용해나갈 계획으로, 연내에 양산 준비를 마치고 2020년부터 본격 공급에 나선다는 방침이다.