웨스턴디지털(Western Digital, 이하 WD)에서 5세대 3D 낸드 기술을 발표했다.
WD는 30일(현지시간) 보도자료를 통해 자사의 3세대 3D 낸드 기술인 BiCS5를 성공적으로 개발해 업계에서 가장 진보된 플래시 메모리 기술을 제공하는데 앞장서고 있다고 밝혔다.
TLC(Triple-Level-Cell) 및 QLC(Quad-Level-Cell) 기술을 기반으로 하는 BiCS5는 설득력 있는 비용으로 뛰어난 용량, 성능 및 안정성을 제공해 커넥티드 자동차, 모바일 장치, 인공지능과 관련된 데이터의 기하급수적 증가를 해결하는데 이상적이다.
WD는 현재 BiCS5 512Gb TLC 칩의 초기 생산을 시작해 새로운 기술을 기반으로 하는 소비자 제품을 출하하고 있으며, 2020년 하반기에 의미있는 상업 물량의 BiCS5 생산에 들어갈 것이라고 설명했다. BiCS5 1Tb TLC 및 1.33Tb QLC를 포함한 다양한 용량으로 제공된다.
BiCS5는 지금까지 WD 최고 밀도이며 가장 진보된 3D NAND 기술이다. 2세대 멀티 티어 메모리 홀 기술, 개선된 엔지니어링 프로세스 및 기타 3D NAND 셀 향상으로 웨이퍼에서 수평으로 셀 어레이 밀도가 크게 증가했다.
기존 BiCS4 기술이 96단(Layer) 적층 구조였다면 BiCS5는 112단 적층 수직 메모리 기술로 셀 어레이 밀도를 약 20% 증가시켜 웨이퍼당 최대 40% 더 많은 스토리지 용량을 제공하면서 비용을 최적화 할 수 있다. 또한 새로운 디자인 개선 및 성능 향상으로 BiCS5는 BiCS4 대비 최대 50% 더 빠른 I/O 성능을 제공할 수 있다.
BiCS5 기술은 WD와 기술 및 제조 파트너인 키옥시아(Kioxia Corporation, 전 도시바 메모리 사업부)와 공동으로 개발되었으며, 일본 미에현 요카이치 공장과 새로 지어진 이와테현 키타카미 공장에서 제조될 예정이다.
WD는 이번에 발표한 BiCS5 기술이 데이터 중심 개인 전자 제품, 스마트폰, IoT 장치 및 데이터 센터에 사용하기 위한 WD 3D NAND 기술의 전체 포트폴리오를 기반으로 구축될 거라고 덧붙였다. |
