SK하이닉스, 고성능 메모리 개발위한 3D 인터커넥트 기술 라이센스 체결

2020-02-13 11:06
이상호 기자 ghostlee@bodnara.co.kr

SK하이닉스가 보다 고성능 메모리 개발을 위한 3D 인터커넥트 기술 라이센스 계약을 체결했다.

Xperi Corporation과의 라이센스 계약에 포함한 DBI Ultra 3D 인터커넥트 기술은 기존 구리 축 기반 기술이 제곱 미리 당 625개의 인터커넥트 연결이 가능한 것과 달리, 같은 공간에 10만개에서 100만개까지의 인터커넥트 구성을 지원하는 것으로 알려졌다.

최근 삼성전자가 양산을 발표한 플래시볼트 브랜드로 발표한 HBM2E 메모리는 스택당 최대 12층 구조가 가능한데 반해, SK하이닉스가 라이센스한 Xperi의 DBI Ultra 3D 기술은 최대 16층 구조가 가능해 고성능 - 고용량 메모리 개발에 유리할 것으로 기대된다.

AMD Radeon RX Vega 시리즈에 적용되어 게이머들에게 친숙한 HBM과 같은 2.5D 구성은 물론이고 로직 보드와 칩 위에 직접 올리는 3D 구성도 가능해, 이번 양사의 라이센스 체결을 통해 향후 어떤 제품이 등장할지 귀추가 주목된다.