SK하이닉스, HBM2E 메모리 개발 10개월 만에 양산 발표

2020-07-03 09:33
이상호 기자 ghostlee@bodnara.co.kr

지난해 8월, HBM2E 메모리 개발을 발표한 SK하이닉스에서 10개월 만에 본격적인 양산에 돌입했다는 사실을 밝혔다.

SK하이닉스의 HBM2E는 초당 3.6Gbps의 데이터 처리가 가능한 제품으로, 1,024개의 정보출입구(I/O)를 통해 1초에 460GB의 데이터를 처리할 수 있으며, 이는 Full-HD급 영화(3.7GB) 124편을 1초에 전달할 수 있는 고속 D램 솔루션이다. 용량도 8개의 16Gb D램 칩을 TSV(Through Silicon Via) 기술로 수직 연결해 이전 세대 대비 2배 이상 늘어난 16GB를 구현했다.

초고속·고용량·저전력 특성을 지닌 HBM2E는 고도의 연산력을 필요로 하는 딥러닝 가속기(Deep Learning Accelerator), 고성능 컴퓨팅 등 차세대 인공지능(AI) 시스템에 최적화된 메모리 솔루션으로 주목 받고 있다. 이외에도 기상변화, 생물의학, 우주탐사 등 차세대 기초과학과 응용과학 연구를 주도할 엑사스케일(Exascale) 슈퍼컴퓨터(초당 100경 번 연산 수행이 가능한 고성능 컴퓨팅 시스템)에 채용이 전망된다.