삼성전자가 업계최초로 7나노 EUV 시스템반도체에 3차원 적층 패키지 기술인 'X-Cube(eXtended-Cube)'를 적용한 테스트칩 생산 성공 사실을 알렸다.
'X-Cube'는 전공정을 마친 웨이퍼 상태의 복수의 칩을 위로 얇게 적층해 하나의 반도체로 만드는 기술이다.
시스템 반도체는 일반적으로 CPU·GPU·NPU 등의 역할을 하는 로직 부분과 캐시메모리(Cache memory) 역할을 하는 SRAM 부분을 하나의 칩에 평면으로 나란히 배치해 설계하지만, 'X-cube' 기술은 로직과 SRAM을 단독으로 설계·생산해 위로 적층하기 때문에 전체 칩 면적을 줄이면서 고용량 메모리 솔루션을 장착할 수 있어 고객의 설계 자유도를 높일 수 있다.
또한, 실리콘관통전극(TSV, Through Silicon Via) 기술을 통해 시스템반도체의 데이터 처리속도를 향상 시키는 동시에 전력 효율도 높일 수 있으며, 위아래 칩의 데이터 통신 채널을 고객 설계에 따라 자유롭게 확장할 수 있고, 신호 전송 경로 최소화에 따른 데이터 처리 속도 극대화가 가능하다.
글로벌 팹리스 고객은 삼성전자가 제공하는 'X-Cube' 설계방법론(Design Methodology)과 설계툴(Design Flow)을 활용해 EUV 기술 기반 5, 7nm 공정 칩 개발을 바로 시작할 수 있으며, 이미 검증된 삼성전자의 양산 인프라를 이용해 개발 오류를 빠르게 확인하며 칩 개발 기간을 줄일 수 있다.
한편, 삼성전자는 8월 16일부터 18일까지 온라인으로 진행되는 HPC·AI 등의 고성능 반도체 관련 연례 학술 행사인 '핫 칩스(Hot Chips) 2020'에서 'X-Cube'의 기술 성과를 공개할 계획이다. 삼성전자는 해당 기술을 바탕으로 최첨단 EUV 초미세 전공정뿐 아니라 후공정에서도 첨단 기술 경쟁력을 확보하게 됐으며, '반도체 비전 2030'을 달성하는 데 큰 역할을 할 것으로 기대를 나타냈다.
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