텍사스 인스트루먼트(TI)가 텍사스주 셔먼에 건설하는 새로운 300mm 반도체 웨이퍼 제조 공장(또는 팹)의 착공식을 개최했다고 밝혔다.
고위 관리들과 지역 인사들이 참석한 착공식에서, 리치 템플턴 텍사스 인스트루먼트 회장 겸 사장 겸 CEO는 텍사스주 역사상 최대 규모에 이르는 민간 부문 투자가 개시된 것을 축하하며, 장기적인 관점에서 자사의 자체 제조 역량을 강화하겠다는 의지를 거듭 강조했다.
300억 달러에 이르는 잠재적 투자 가치를 지닌 이번 투자에는 미래의 반도체 시장의 수요를 충족하기 위한 4개의 팹 건설 계획이 포함되어 있으며, 3천 개에 이르는 직접적인 일자리를 창출할 것으로 기대된다. 새로운 팹에서는 다양한 전자제품에 사용할 수 있도록 매일 수천만 개의 아날로그 및 임베디드 프로세싱 칩이 생산될 예정이다.
TI는 오랜 시간 동안 책임감을 가지고 지속가능성을 고려한 제조에 노력을 기울이고 있다. 새로운 팹은 빌딩 인증 시스템인 LEED(Leadership in Energy and Environmental Design)의 구조적 효율성과 지속가능성 지표 중 상위 수준인 골드 등급을 충족하도록 설계될 것이다. 셔먼 팹의 첨단 300mm 장비와 프로세스는 폐기물, 물 사용, 에너지 소모를 줄이는 데 기여할 것이다.
셔먼에 건설되는 TI의 첫 번째 팹은 2025년 가동에 들어간다. 새로운 팹들은 텍사스주 댈러스의 DMOS6, 텍사스주 리차드슨에 위치한 RFAB1 및 곧 완공되어 올해 말부터 생산이 시작될 리차드슨 소재의 또 다른 팹 RFAB2를 포함한 TI의 기존 300mm 반도체 팹을 보완할 예정이다. 또한, 유타주 레히에 위치한 LFAB은 2023년 상반기에 생산을 시작할 것으로 예상된다. |
