Nexperia°¡ ¿À´Ã 30mΩ, 40mΩ, 60mΩ ¹× 80mΩ RDSon °ªÀ¸·Î Á¦°øµÇ´Â D2PAK-7 Ç¥¸é ½ÇÀåÇü (SMD) ÆÐŰ¡ÀÇ 1200V ½Ç¸®ÄÜ Ä«¹ÙÀ̵å(SiC) MOSFETÀ» Ãâ½ÃÇß´Ù.
ÀÌ ¼ÒÀÚ´Â ³Ø½ºÆ丮¾Æ°¡ 2023³â ¸»¿¡ 3ÇÉ, 4ÇÉ TO-247 ÆÐÅ°Áö·Î Ãâ½ÃÇÑ 2°³ÀÇ °³º° SiC MOSFET¿¡ ÀÌÀº ÈÄ¼Ó Á¦Ç°ÀÌ´Ù. ÀÌ MOSFETÀº À¯¿¬ÇÑ ÆÐÅ°Áö ¿É¼Ç¿¡ 17, 30, 40, 60 ¹× 80mΩÀÇ RDSon °ªÀ» °¡Áø ¼ÒÀÚµéÀ» Æ÷ÇÔÇϵµ·Ï °è¼Ó Ãâ½ÃÇÒ SiC MOSFET Æ÷Æ®Æú¸®¿ÀÀÇ ÃֽŠÁ¦Ç°À̱⵵ ÇÏ´Ù.
ÀÌ Á¦Ç°Àº ¶ÇÇÑ Àü±â ÀÚµ¿Â÷(EV) ÃæÀü(ÃæÀü ÆÄÀÏ, ¿ÀÇÁº¸µå ÃæÀü), ¹«Á¤Àü Àü¿ø °ø±Þ ÀåÄ¡(UPS) ¹× ž籤 ¹× ¿¡³ÊÁö ÀúÀå ½Ã½ºÅÛ(ESS)¿ë ÀιöÅÍ µî ´Ù¾çÇÑ »ê¾÷ ÀÀ¿ë ºÐ¾ß¿¡¼ Á¡Á¡ ´õ Àα⸦ ¾ò°í ÀÖ´Â D2PAK-7 °°Àº SMD ÆÐÅ°ÁöÀÇ °í¼º´É SiC ½ºÀ§Ä¡¿¡ ´ëÇÑ ¼ö¿ä¸¦ ÇØ°áÇØÁØ´Ù.
ÀÌ Á¦Ç°ÀÇ °³¹ß ¹è°æ¿¡´Â ³Ø½ºÆ丮¾Æ¿Í ¹ÌÂêºñ½Ã Àü±âÀÇ Àü·«Àû ÆÄÆ®³Ê½ÊÀÌ ÀÖ´Ù. ¾ç»ç´Â ÀÌ ¼ÒÀÚÀÇ Ãâ½Ã·Î SiC ¿ÍÀÌµå ¹êµå°¸ ¹ÝµµÃ¼ÀÇ ¿¡³ÊÁö È¿À²¼º°ú Àü±âÀû ¼º´ÉÀ» ÇÑ ´Ü°è ²ø¾î¿Ã¸®´Â µ¿½Ã¿¡ °è¼Ó Áõ°¡ÇÏ´Â ½ÃÀå ¼ö¿ä¿¡ ´ëÀÀÇÏ¿© ÀÌ ±â¼úÀÇ ¹Ì·¡ °æÀï·ÂÀ» °®Ãá »ý»ê ´É·ÂÀ» È®º¸ÇÏ´Â µ¥ ¼º°øÇß´Ù.
RDSon Àº Àüµµ Àü·Â ¼Õ½Ç¿¡ ¿µÇâÀ» ¹ÌÄ¡±â ¶§¹®¿¡ SiC MOSFETÀÇ Áß¿äÇÑ ¼º´É ¸Å°³º¯¼ö°¡ µÈ´Ù. ±×·¯³ª MOSFET¸¦ Á¦Á¶ÇÏ´Â ¸¹Àº Á¦Á¶¾÷üµéÀº °øĪ °ª¿¡¸¸ ÁýÁßÇÏ´Ùº¸´Ï ¼ÒÀÚÀÇ ÀÛµ¿ ¿Âµµ »ó½Â¿¡ µû¸¥ °øĪ °ªÀÇ 100% ÀÌ»ó Áõ°¡·Î ÀÎÇØ »ó´çÇÑ Àüµµ ¼Õ½ÇÀÌ ¹ß»ýÇÒ ¼ö ÀÖ´Ù´Â »ç½ÇÀ» ¹«½ÃÇÏ°í ÀÖ´Ù.
³Ø½ºÆ丮¾Æ´Â ÀÌ ¹®Á¦°¡SiC ¼ÒÀÚµéÀÇ ¼º´ÉÀ» Á¦ÇÑÇÏ´Â ¿ä¼ÒÀÓÀ» È®ÀÎÇÏ°í Çõ½ÅÀûÀÎ °øÁ¤ ±â¼ú ±â´ÉÀ» ¼º°øÀûÀ¸·Î Àû¿ëÇß´Ù. À̹ø¿¡ Ãâ½ÃµÈ SiC MOSFETÀº 25°C¿¡¼ 175°CÀÇ ÀÛµ¿ ¿Âµµ ¹üÀ§¿¡¼µµ RDSonÀÇ °øĪ °ªÀÌ ´ÜÁö 38%¸¸ Áõ°¡ÇÏ´Â, ¾÷°è ÃÖ°íÀÇ ¿Âµµ ¾ÈÁ¤¼ºÀ» Á¦°øÇÑ´Ù.
°¡Àå ¾ö°ÝÇÑ ÀÓ°è Àü¾ÐÀÎ VGS(th) »ç¾çÀ» °¡Áø ÀÌ °³º° MOSFET¼ÒÀÚ´Â º´·Ä·Î ¿¬°áµÉ °æ¿ì ÆòÇü Àü·ù Àü´Þ ¼º´ÉÀ» Á¦°øÇÑ´Ù. ¶ÇÇÑ ³·Àº ¹Ùµð ´ÙÀÌ¿Àµå ¼ø¹æÇâ Àü¾Ð (VSD)Àº ¼ÒÀÚÀÇ °ß°í¼º°ú È¿À²¼ºÀ» ³ôÀÌ´Â µ¿½Ã¿¡ ÇÁ¸®ÈÙ¸µ ÀÛµ¿ ÁßÀÇ µ¥µå ŸÀÓ ¿ä±¸ »çÇ×À» ¿ÏÈÇÏ´Â ÆĶó¹ÌÅÍ·Î ÀÛ¿ëÇÑ´Ù.
|