키오시아(Kioxia Corporation)와 샌디스크(Sandisk Corporation)가 최첨단 3D 플래시 메모리 기술을 개척해 4.8Gb/s의 낸드(NAND) 인터페이스 속도, 뛰어난 전력 효율, 높은 밀도로 업계 벤치마크를 설정했다.
ISSCC 2025에서 공개된 새로운 3D 플래시 메모리 혁신과 양사의 혁명적인 ‘CMOS 직접 어레이 결합(CMOS directly Bonded to Array, CBA)’ 기술[1]이 결합되어 최신 인터페이스 표준 중 하나인 NAND 플래시 메모리용 토글 DDR6.0(Toggle DDR6.0)을 통합하고, 인터페이스의 새로운 명령 주소 입력 방식인 별도 명령 주소(Separate Command Address, SCA) 프로토콜[2] 및 전력 소비를 더욱 줄이는 데 필수적인 전력 절연 로우 탭 터미네이션(Power Isolated Low-Tapped Termination, PI-LTT) 기술[3]을 활용한다.
양사는 이 독보적인 고속 기술을 활용해 새로운 3D 플래시 메모리가 현재 양산되는 기존 8세대 3D 플래시 메모리와 비교해 NAND 인터페이스 속도 면에서 33%의 개선을 달성해 4.8Gb/s 인터페이스 속도에 도달할 것으로 예상하고 있다. 또한 이 기술은 데이터 입출력의 전력 효율도 향상시켜 입력은 10%, 출력의 경우 34%의 전력 소비를 줄임으로써 고성능과 저전력 소비의 균형을 달성한다. 10세대 3D 플래시 메모리의 프리뷰를 공개하면서 양사는 메모리 레이어 수를 332개로 늘리고 평면 밀도를 높이도록 칩 설계를 최적화함으로써 비트 밀도를 59% 향상시켰다고 자세히 설명했다.
키오시아 최고기술책임자인 미야지마 히데시(Hideshi Miyajima)는 “AI 기술이 확산되면서 생성되는 데이터의 양이 크게 증가할 것으로 예상되고, 최신 데이터 센터의 전력 효율에 대한 필요성도 늘게 될 것이다. 키오시아는 이 새로운 기술이 미래 스토리지 솔루션을 위한 더 큰 용량, 더 빠른 속도, 더 낮은 전력 소비의 SSD 제품을 가능하게 만들고, AI 개발의 토대를 마련할 것으로 확신한다”라고 말했다.
샌디스크의 글로벌 전략 및 기술 담당 수석부사장인 알퍼 일크바하르(Alper Ilkbahar)는 “AI가 발전함에 따라 메모리에 대한 고객의 요구 사항이 점점 더 다양해지고 있다. CBA 기술 혁신을 통해 우리는 용량, 속도, 성능, 자본 효율성 측면에서 최적의 조합을 제공하는 제품을 출시해 다양한 시장 부문에 걸쳐 고객 만족을 실현하고자 한다”라고 말했다.
키오시아와 샌디스크는 또한 예정된 9세대 3D 플래시 메모리 출시에 대한 계획도 공유했다. 양사는 고유한 CBA 기술을 통해 새로운 CMOS 기술과 기존 메모리 셀 기술을 결합해 자본 효율적인 고성능 저전력 제품을 제공할 수 있다. 양사는 계속해서 최첨단 플래시 메모리 기술을 개발하고 고객의 요구를 충족하는 맞춤형 솔루션을 제공하며 디지털 사회의 발전에 기여하기 위해 최선을 다하고 있다. |
