SK하이닉스가 메모리 업계 최초로 양산용 'High(하이) NA EUV' 장비를 도입한다.
High NA EUV(High Numerical Aperture Extreme Ultraviolet Lithography) 장비는 기존 EUV 보다 더 큰 (Numerical Aperture, 개구수)를 적용해 해상도를 크게 향상시킨 차세대 노광 장비로, 현존 가장 미세한 회로 패턴 구현이 가능해 선폭 축소 및 집적도 향상에 핵심 역할을 할 것으로 기대된다.
반도체 제조업체가 생산성과 제품 성능을 높이려면 미세 공정 기술 고도화가 필수로, 회로를 더 정밀하게 구현할수록 웨이퍼당 칩 생산량이 늘어나고 전력 효율과 성능도 함께 개선된다.
SK하이닉스는 2021년 10nm급 4세대(1anm) D램에 EUV를 첫 도입한 이후 최첨단 D램 제조에 EUV 적용을 지속 확대해 왔으며, 이번에 도입한 장비는 네덜란드 ASML의 ‘트윈스캔 EXE:5200B’로, High NA EUV 최초의 양산용 모델이다. 기존 EUV(NA 0.33) 대비 40% 향상된 광학 기술(NA 0.55)로 1.7배 더 정밀한 회로 형성이 가능하고 2.9배 높은 집적도를 구현할 수 있다.
SK하이닉스는 이 장비 도입을 통해 기존 EUV 공정을 단순화하고 차세대 메모리 개발 속도를 높여 제품 성능과 원가 경쟁력을 동시에 확보, 이를 통해 고부가가치 메모리 시장에서의 입지를 강화하고 기술 리더십을 더욱 공고히 한다는 방침이다. 트랜드포스의 자료에 따르면 2025년 1분기 이후 DRAM 반도체 시장에서 SK하이닉스의 점유율은 삼성전자를 추월하였으며, 그 차이는 점차 벌어지고 있는 상황이다.
한편, SK하이닉스의 이천 M16팹(Fab)에 반입 기념 행사에는 이천캠퍼스에서 열린 행사에는 ASML코리아 김병찬 사장, SK하이닉스 차선용 부사장(미래기술연구원장, CTO), 이병기 부사장(제조기술 담당) 등이 참석했다. |
