INTEL. High-K metal gate transistor 개발

2003-11-05 11:54
이우용 수석기자

guygun@bodnara.co.kr

INTEL은 현재의 CMOS-transistors에 비해 60%나 큰 수용능력을 가질수 있는 High-K Metal gate transistor 를 개발하는데 성공했다고 한다.

transistor gate는 대부분 silicumdioxyde 레이어의 외부에 존재하며 중간에 절연물질에 의해 연결되는데 최근 트랜지스터가 계속 작아지게 되어 이 절연부분의 레이어가 너무나 작아졌다고 한다.

그리고 그로인해 전력누수가 상당해 지게 되어 이 유출된 전력이 해당 반도체의 발열을 일으키게된다고 하는데 High-K Metal gate transistor의 개발로 현재의 CMOS-transistors에 비해 큰 수용능력을 가질수 있어 보다 빠르게 스위칭이 가능하며 전력누수를 상당부분 줄여 발열을 최소화 하였다고 한다.

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초보 / 03-11-05 22:44/ 신고

무지 의미있는 소식같은데 어떤분도 댓글을 달아주지 않네요. 쉽게 설명해주실분 없는가요? AMD의 구리공정기술인가 sio라 부르던가..그런것처럼 아주 중요한 기술개발같은데..

나그네 / 03-11-06 1:40/ 신고

간단히 전력 손실이 적어 적은 열을 내는 프로세서가 가능하다는 이야기죠. 그리고 고클럭도 가능하구욤.

음.. / 03-11-06 2:04/ 신고

음;; 내가 배운 반도체 이론은 그럼.. 구식이넹 ㅠ_ㅠ

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