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 미 중서부에 위치한 일리노이주의 일리노이 대학에서 509GHz로 동작하는 트랜지스터를
개발하였다는 소식이 Inquirer에 포스팅되었다.
이 소식에 의하면 일리노의 대학의 Electrical and Computer Engineering Department에서 509Ghz로
동작하는 트랜지스터를 개발하였으며 지금까지 개발된 57Ghz로 동작하는 트랜지스터에 비해 엄청난 차이를 가져온것이라고 한다.
이 트랜지스터는 인듐 갈륨 인화물과 인듐 갈륨 비인화물로 구성되어 게르마늄 실리콘으로 구성된 기존의 트랜지스터에 비해 본질적인 속도에서 큰
차이를 가져왔으며 더많은 밀도를 가질수 있게 되었다고 한다.
이 연구는 미 고등연구 기획청(DARPA)의 지원으로 이루어졌으며 지금의 Gigahertz가 아닌 Terahertz까지 도달할수
있을것이라고 한다.
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