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최근 SerialATA나 PCI Express등 기존의 패러럴방식보다 빠른 데이터 전송속도를 가질수 있는 시리얼 방식의 인터페이스들의
채용이 확산되어가고 있는데 메모리 인터페이스 또한 이런 흐름에 동참하게 될수도 있을것으로 알려졌다.
이 소식은 이번 IDF를 통해 INTEL이 발표한 Fully Buffered DIMM(FB-DIMM) 때문인데 이 새로운 메모리 모듈은
지금의 DRAM과 다르게 시리얼방식의 인터페이가 사용되는것으로 발표되었다고 한다.
INTEL은 이미 Direct RDRAM을 통해 시리얼 방식의 고속 메모리의 채용과 확산에 힘썼지만 시리얼 방식을 위해 특정 메모리를
사용해야 했고 여러 문제로 인해 실패로 돌아가 다시 패러럴 방식인 DRAM으로 돌아섰다고 한다.
하지만 이번에 발표된 Fully Buffered DIMM(FB-DIMM)은 Direct RDRAM과 같이 시리얼 방식의 인터페이스를
사용하지만 이것은 메모리 컨트롤러가 장착된 칩셋으로 부터 메모리 모듈까지의 인터페이스를 말하는것으로 메모리칩 자체는 기존 방식과 변화가 없다고
한다.
따라서 RDRAM처럼 특정 메모리가 필요한것이 아니기에 활용도가 높다고 하는데 이전 RDRAM때의 교훈을 통해서 Fully Buffered
DIMM(FB-DIMM)이 성공할수도 있다고 전하고 있다.
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