INTEL, 두번째 45nm 300mm 웨이퍼 Fab 건설 |
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2005-12-02 11:57
이우용 수석기자 
guygun@bodnara.co.kr |
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INTEL은 그동안 200mm 웨이퍼에 비해 생산성이 높은 300mm 웨이퍼를 사용하는 Fab를 추가하여왔는데 내년초에 양산품이 등장하게될 65nm의 공정보다 더 미세화된 제조공정인 45nm 제조공정을 사용한 Fab 28를 Israel의 Kiryat Gat에 건설한다고 발표하였다.
INTEL은 이 Fab 28의 건설을 위해 35억달러를 투자할 계획이며 2008년 후반기부터 45nm 공정이 적용된 마이크로 프로세서 제품들을 양산하게 될것이라고 한다.
Fab 28의 건설이 완료되면 INTEL의 7번째 300mm 웨이퍼를 사용하는 Fab가 될것이며 20만 피트의 크린룸을 포함하게 된다고 한다. 이스라엘 정부는 이번 Fab 건설에 대해 재정적인 부분에 대한 협력을 약속하였다고 한다.
현재 300mm 웨이퍼를 사용하는 INTEL의 Fab는 Oregon, Arizona 그리고 New Mexico에 위치하고 있으며 Ireland에서는 내년 초부터 가동이 시작되는 Fab24-2에서 300mm 웨이퍼를 사용하게 된다고 한다. |
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