하이닉스 반도체가 세계 최고속, 최대 용량의 그래픽 메모리 제품인 512Mb GDDR4 D램 개발에 성공했다고 5일자로 발표했다.
하이닉스에 따르면 이번에 발표한 4세대 그래픽 메모리인 512Mb GDDR4 D램은 GDDR3 제품에 비해 처리속도가 약 2배 정도로 향상되어 한번에 많은 데이터를 처리해야 하는 64bit 운영체제에 특화된 제품이며, 16Mx32의 구성으로 32개의 입출력 핀이 각각 2.9Gbps의 속도로 동작해 1초에 11.6GB의 데이터를 처리할 수 있어 DVD급 동영상을 불과 0.2초만에 처리할수 있는 수준이다.
또한, 저전력 설계기술로 동작 전압을 1.5V로 낮춰 소비전력 최소화가 필수인 차세대 노트북 제품에도 적용이 가능하며, 차세대 그래픽 메모리에서 요구되는 모든 인터페이스 (Double-pumped Address 지원, Multi-preamble, Data Bus Inversion)를 지원할 수 있는 것이 장점이라고 설명했다.
하이닉스반도체는 512Mb GDDR4 D램을 주요 그래픽 칩셋(Chipset) 업체들에게 제공할 예정이며 내년 상반기에 본격적으로 양산할 계획이라고 밝혔다. 또 내년 하반기까지 초당 14.4GB의 속도를 갖는 GDDR4 D램 제품을 개발한다는 계획이다.
GDDR 메모리는 고속 그래픽 처리용 D램으로 컴퓨터, 게임기 등에서 동영상과 그래픽 데이터를 처리하는 역할을 수행하는 제품이다. 기존 D램이 x8, x16 등으로 비트가 구성되는데 비해 GDDR은 x32로 구성되어 일반 D램 보다 많은 용량의 데이터를 한꺼번에 처리할 수 있다.
|
