- 에너지 효율성 및 향후 인텔 플랫폼 성능 향상을 이끌 새로운 기술
인텔이 차세대 반도체 제조 공정인 45나노미터(nanometer ) 공정 기술을 사용하는 첫 번째 완전 기능 S램 (SRAM: Static Random Access Memory) 칩을 제조함으로써 45나노 로직 기술 개발에 있어 중요한 전기를 마련했다고 발표했다.
또한 이번 결실은 인텔이 2007년에300mm 웨이퍼 상에서 이 기술을 적용한 칩을 제조하겠다는 계획이 잘 진행되고 있고, 2년마다 새로운 공정 기술을 소개시킴으로써 ‘무어의 법칙’을 지속시키고 있음을 의미한다.
현재 인텔은 미국 아리조나와 오레곤에 있는 65나노 칩 제조 시설과 곧 완공 예정인 영국 아일랜드와 미국 오레곤의 제조 시설을 통해 65나노 공정 기술 기반 반도체의 대량 생산에 있어 업계를 선도하고 있다.
인텔코리아의 이희성 사장은 “65나노 공정 기술을 통한 대량 생산 실현 및 실제로 작동하는45나노 칩을 최초로 선보임으로써, 인텔은 칩 제조에 있어 자사가 가지고 있는 선두적 지위를 다시 한번 입증해 보였다.”라며 “인텔은 오랜 역사를 통해 소비자가 실제로 혜택을 누릴 수 있도록 기술을 구현해 왔다. 인텔의 45나노 기술은 와트당 성능(Performance per Watt)을 향상시킨 PC를 통해 사용자 경험을 한층 확대하는 기반이 될 것”이라고 말했다.
인텔의 45나노 공정 기술은 현재 공급되고 있는 칩보다 전력 누출량이 5분의 1 이하로 감소된다. 이는 모바일 기기의 배터리 수명을 증가시키고 더 강력한 소형 플랫폼을 제공할 수 있게 한다.
45나노 S램 칩은 10억 개의 트랜지스터 를 가지고 있다. 인텔 제품을 염두에 둔 것은 아니지만, 이번에 생산된 S램은 45나노 제조 공정에 기반한 본격적 프로세서 및 기타 로직 칩 생산에 앞서 기술 성능, 공정 산출, 칩 신뢰도 등을 입증하고 있다. 세계에서 가장 복잡한 기기의 대량 생산을 향한 행진에 있어 핵심적인 첫 발을 내디딘 것이다.
초기 45나노 개발 노력이 진행되고 있는 오레곤의 D1D 설비 제조 능력과 더불어, 인텔은 45나노 공정 기술 기반의 칩 제조를 위해 두 개의 대규모 팹(Fab, 일괄제조공정) 을 건설 중이라고 밝힌바 있다. 이 두 개의 팹은 아리조나에 있는 팹32와 이스라엘에 있는 팹28이다.
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