인텔, 세계 최초의 65나노 노어 플래시 메모리 칩 개발

2006-04-06 10:36

인텔은 고도의 65나노미터(nanometer) 공정 기술을 사용하는 1 기가비트 집적도의 첫 번째 노어 멀티 레벨 셀 (MLC) 플래시 메모리 칩을 선보였다. 인텔의 노어 플래시 메모리 칩은 전화 운영관리, 개인 정보 관리(PIM)와 사진 및 음악, 동영상을 저장을 위해 핸드폰 기기와 같은 디바이스에 활용된다.

인텔의 핸드폰 OEM 고객들은 90나노에서 65나노 공정 기술로의 마이그레이션을 단순화하는 공통 플래시 아키텍처를 통해 다양한 혜택을 누리게 될 것이다.

인텔의 플래시 메모리 그룹의 총괄 책임자인 브라이언 헤리슨(Brian Harrison) 부사장은 “이번 플래시메모리 공급으로 인텔은 거대한 핸드폰 시장에서 업계의 가장 진보된 노어 플래시 메모리를 제공하게 되었고 이는 인텔의 플래시 메모리 분야 리더십을 또 한번 강화하는 계기가 될 것이다.”며 “인텔의 65나노 공정 기술은 사용자들에게 보다 새롭고 향상된 기능을 제공할 수 있는 차세대 핸드폰의 플래시 메모리 성능을 향상시키게 될 것이다.”고 말했다.

65나노 노어 플래시 메모리의 샘플은 2분기 말에 제조사들이 이용할 수 있게 될 것이다.

이 기사의 의견 보기

valkyrie (ID)

/ 06-04-06 12:37/ 신고

65나노의 노어플래시라.... 플래시도 점점 진화하고 있는듯...

makesound (ID) / 06-04-06 15:03/ 신고

노어가 뭐였죠????ㅡ.ㅡ; 그거 맞나? 찾아보자..ㅡ.ㅡ;

hyeonsig (ID) / 06-04-07 3:54/ 신고

삼성과의 경쟁이 심해질듯...

ronaya (ID)

/ 06-04-09 0:07/ 신고

마지막 글을 보니 3분기는 되어야 제품을 볼수 있겠네요

mygirl2 (ID)

/ 06-04-09 3:38/ 신고

삼성의 자존심이 상했을듯

pg1313 (ID)

/ 06-04-09 7:35/ 신고

플래시메모리 - EEPROM,EPROM 이죠
NOR플래시메모리 - 초기 핸드폰에 자주 들어가고, 요즘은 저가 핸드폰에 많이 들어가는 메모리
read 속도는 빠른데, Write/Del 속도가 느릴듯. 가격도 좀 비싸고..
NAND플래시메모리 - 최근 대용량 핸드폰, USB스토리지에 사용
read속도는 NOR보다 느리지만(최근에는 더 빠른듯, Write/Del 속도는 압권) 64MB이상 핸드폰은 거의 NAND라고 보시면 좋을듯^^

참고로 속도차이는 대략 20배 정도 NAND가 빠릅니다..전체적으로..

moonwolf (ID)

/ 06-04-09 20:15/ 신고

인텔의 기술력 자랑이군요. ^^;;

zooc80 (ID) / 06-04-09 21:57/ 신고

65나노 기술이 멀리 멀리 모든 제품에 실리기를

ppnnww (ID) / 06-04-09 23:57/ 신고

대단합니다. 역시 삼성

pksps (ID) / 06-04-15 19:09/ 신고

삼성도 긴장을 늦추어선 안될듯..

kado (ID)

/ 06-04-16 17:37/ 신고

돈되는 플래시 메모리 경쟁이
갈수 록 심해지니 수익성이
갈수록 악화되겠군요

kuki63 (ID) / 06-04-16 23:43/ 신고

메모리분야에도 꾸준한가 보네요. 이래저래 삼성은 바쁘겠네요 ^^*

ljhhjw (ID)

/ 06-04-20 21:20/ 신고

메사님, 노어면 낫 오어 아닌가요?

jenjinman (ID)

/ 06-04-21 1:36/ 신고

역시 인텔이네요. 65나노의 노어플래시라 정말 대단하네요.

blasty (ID)

/ 06-04-30 12:01/ 신고

인텔과 삼성의 차이점이 점차 좁혀지고 있습니다

jenadu (ID) / 06-04-30 19:02/ 신고

인텔은 노어만 밀고 나가네..

ryangedu (ID) / 06-05-01 0:09/ 신고

인텔의 딴 주머니..^^

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