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STMicro, NAND 플래시 70nm 공정으로 이전 완료

2006-12-06 14:43
장홍식 대표기자 potatotree님의 미디어로그 가기 potatotree@bodnara.co.kr

STMicroelectronics (NYSE: STM)는 자사의 NAND 플래시 메모리 전제품군이 70nm 공정 기술로 완전 이전됐다고 발표했다.

512-Mbit (소형 페이지) 및 1/2/4/8-Gbit (대형 페이지) 디바이스가 ST의 첨단 70nm 공정 기술로 전환됨으로써, 가격 및 전력 소모가 감소된 첨단 NAND 플래시 기술의 제품군을 구축하게 되었다.

이 고밀도 메모리 칩은 디지털 카메라, PDA, GPS 내비게이션 시스템, 플래시 카드 및 USB 드라이브, 프린터, 셋톱 박스 (STB), 디지털 TV 세트, 카 멀티미디어 시스템, 멀티미디어 기능의 모바일 핸드셋 등과 같은 다양한 컴퓨팅 및 컨슈머 어플리케이션의 대용량 데이터 저장에 활용되도록 설계되었다.

 


ST에서 제공하는 소프트웨어 툴체인은 신형 메모리 칩을 사용하는 제품의 개발을 신속하게 구현할 뿐만 아니라 제품의 유효 수명을 늘리는 데도 유용하다. 이 툴은 오류 수정 코드 (Error Correction Code) 소프트웨어, 데이터를 유효 블록에 복사함으로써 지우기 또는 프로그램 동작에 장애가 되는 블록을 인식하여 교체하는 불량 블록 관리 (Bad Block Management), 모든 블록 간 지우기 및 프로그램 동작을 분산시킴으로써 디바이스의 노후화를 최적화할 수 있는 마모 균일화 (Wear Leveling) 알고리즘, 파일 시스템 OS 네이티브 레퍼런스 소프트웨어, 그리고 하드웨어 시뮬레이션 모델을 포함하고 있다.

메모리는 페이지 단위로 읽고 프로그래밍할 수 있는 블록으로 구성된다. 각 페이지에는 스페어 영역 (Spare Area)를 포함하고 있으며, 스페어 영역의 바이트들은 오류 보정 코드, 소프트웨어 플래그 또는 배드 블록 식별을 위해 일반적으로 사용된다. Copy Back Program 모드를 통해 외부 버퍼링 없이 한 페이지에 저장된 데이터를 다른 페이지로 직접 프로그래밍할 수 있다. 블록 지우기 시간이 2ms인 블록 지우기 (Block Erase) 명령이 제공된다. 각 블록은 10만회의 프로그램 및 지우기 사이클 및 10년간 데이터 유지가 가능하도록 규정되었다.

디바이스들은 마이크로컨트롤러 인터페이스를 단순화시키고, NOR 플래시 및 xRAM 등 다른 유형의 메모리와 결합할 때 NAND 플래시 사용을 효율화시키는 ‘Chip Enable Don’t Care’ 기능을 갖고 있다. 메모리 조합은 코드 및 작동 메모리에 고속 디바이스가 필요하거나 대용량 파일 스토리지용의 저가형 고밀도 NAND 메모리를 사용할 때 자주 사용된다.



F70 SLC NAND 플래시 디바이스들이 현재 양산 공급 중이며 다음과 같은 특징을 갖추고 있다:

레퍼런스 어레이 구성 작동 전압 패키지
NAND512xxA2C 32페이지 x 4096 블록 1.7 ~ 1.95V TSOP48
2.7 ~ 3.6V VFBGA63 9x11
NAND01GxxB2B 64페이지 x 1024 블록 1.7 ~ 1.95V TSOP48
2.7 ~ 3.6V VFBGA63 9x11 NAND02GxxB2C 64페이지 x 2048 블록 1.7 ~ 1.95V TSOP48
2.7 ~ 3.6V VFBGA63 9.5x12
NAND04GW3B2B 64페이지 x 4096 블록 2.7 ~ 3.6V TSOP48
NAND08GW3B2A 64페이지 x 8192 블록 2.7 ~ 3.6V TSOP48


용량 및 구성에 따라 가격은 10만개 단위당 개당 3~18달러까지 분포한다. 또한 본 보도자료 및 F70 NAND 플래시 제품군에 대한 자세한 정보는 아래의 사이트에서 확인할 수 있다.
www.st.com/stonline/stappl/press/news/year2006/p2104.htm

이 기사의 의견 보기
zooc80 (ID) / 06-12-09 13:52/ 신고
ST메모리 더 싸고 성능은 좋아지기를 +_+
northwindv (ID) northwindv님의 미디어로그 가기  / 06-12-10 3:18/ 신고
공정이 내려가면 싸진다는 얘기...좋은 소식..
godanhan (ID) / 06-12-10 18:22/ 신고
성능도 좋아진다는 얘기로군요.
pksps (ID) / 06-12-10 20:11/ 신고
우리나라 메모리기술도 기술개발에 더욱 적극적이어야 할것 같네요
ljhhjw (ID) ljhhjw님의 미디어로그 가기  / 06-12-16 13:46/ 신고
메모리 부분도 경쟁이 심화되네요
metdol (ID) metdol님의 미디어로그 가기  / 06-12-16 16:07/ 신고
낸드 플래시 메모리도 많은 발전을 하는것 같네요..
yunkj (ID) yunkj님의 미디어로그 가기  / 06-12-16 18:37/ 신고
점점 고직접화 되는 낸드메모리..
sky0734 (ID) sky0734님의 미디어로그 가기  / 06-12-16 23:03/ 신고
기술적으로 하이닉스를 앞서네요.
yuhwa (ID) yuhwa님의 미디어로그 가기  / 06-12-17 0:36/ 신고
상당한 제조 기술을 가지고 있군요.
ssarang (ID) / 06-12-25 19:07/ 신고
좋은 소식이네요.
가격대가 하향세로 되었으면...
blasty (ID) blasty님의 미디어로그 가기  / 06-12-31 8:22/ 신고
내년에는 60나노대를 기대할수 있겠네요
jenjinman (ID) jenjinman님의 미디어로그 가기  / 07-01-01 4:27/ 신고
ST 메모리도 공정 기술에서 기술력이 느껴지네요.
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