삼성전자는 지난 해 3월 80nm 공정을 적용한 512Mb DRAM의 양산을 발표한지 1년이 지난 오늘, 세계 최초로 80nm 대비 2세대 앞선 60nm급 1Gb DRAM 양산을 발표했다.
이번 60nm급 디램은 '05년말 삼성전자가 세계 최초로 개발한 제품으로, 삼성전자는 '00년 150나노급 이후 작년 50nm급에 이르기까지 7세대 연속 세계 최초 양산의 진기록을 세운 바 있다.
60nm급 공정은 기존 80nm 대비40% 이상, 디램 업계의 현재 주력 양산 공정인 90nm에 비해서는 2배 이상 생산성 향상이 가능하다. 또한 삼성전자는 50nm 이하 초미세 기술을 위해 수년 전에 이미 확보한 원천기술을 금번 60nm DRAM 양산에도 적용하고 있다. 즉, 금번 60nm 디램 세계 최초 양산은 향후 50nm, 40nm급 제품 개발과 양산에 있어서도 삼성이 지속적으로 업계를 리드해 나갈 수 있는 기반을 마련할 수 있게 되었다고 회사측은 밝혔다.
이번에 양산 돌입한 60nm급 DRAM은 초고속 동작은 물론 저소비전력 특성이 강화된 설계 기술을 바탕으로,대용량 PC용 DRAM, 초고속 동작이 요구되는 그래픽 DRAM, 저전력과 대용량이 동시에 요구되는 모바일 DRAM 등 모든 DRAM에 확대 적용이 가능하다.
특히, 올해는 윈도우 비스타의 출시로 시스템당 채용되는 평균 메모리용량이 512MB에서 최대 2GB까지 확대됨으로써 1Gb DRAM의 시장 확대는 더욱 가속화 될 전망이다.
한편, 지난 2.12일 삼성전자는 업계에서 유일하게 60nm 공정의 총 10종의 단품과 모듈 제품이 Intel사의 인증을 획득한 바 있다.
삼성전자는 금번 1기가 DDR2를 시작으로 향후 2Gb DDR2, 1기가 DDR3 등 모든 주력 제품들에 60nm 기술을 확대 적용,D램 시장에서의 지배력을 지속 극대화해 나갈 계획이다.
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