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삼성전자는 미국 텍사스 오스틴 반도체 생산단지에 300mm 반도체 라인을 준공하고, 하반기 중 50나노 16기가 낸드 플래시 양산을 시작할 예정이라고 밝혔다.
삼성전자는 14일(현지시간) 미국 오스틴에 위치한 반도체 생산단에서 300mm 웨이퍼 생산라인인 제2라인(SAS Fab2)의 준공을 기념하는 행사를 가졌으며, 이 날 준공식에는 삼성전자 윤종용 부회장, 황창규 사장 등 삼성전자 주요 경영진을 비롯, 릭 페리(Rick Perry) 텍사스 주지사, 윌 윈(Will Wynn) 오스틴 시장 등 양국의 주요 인사가 참석했다.
약 1년간의 공사를 거쳐 완공된 제2라인은 1997년부터 가동하고 있는 기존 200mm(8인치) 라인에 이은 미국내 두 번째 반도체 생산시설로 삼성전자의 해외 첫 300mm 반도체 생산라인이기도 하다.
삼성전자는 이번 300mm 신규라인(4.3만평)에 2008년까지 총 35억불을 투자할 계획이며, 초기 월 2만매 규모에서 점차 생산규모를 확충해 나갈 예정이라고 설명했다. 이에 따라, 삼성전자는 기존 200mm 1라인은 D램 생산에 주력하고, 이번 신규 300mm 라인은 50나노급 이하의 낸드 플래시 등 차세대 메모리 생산을 강화할 계획이다.
이번 300mm 라인 준공으로 삼성전자는 차세대 고용량 낸드 플래시 생산시설 확충을 통해 세계최대 IT 시장인 미주시장에 적극 대응할 수 있는 토대를 마련하게 되었으며, 한미 양국의 우호증진 및 경제협력을 한층 강화하는 계기가 되어 잠재적 무역장벽 해소에도 크게 기여할 것으로 기대된다고 밝혔다.
윤종용 부회장은 기념사를 통해 "미국 오스틴 300mm 라인 건설로 최첨단 메모리 제품의 안정적인 현지 공급원을 확보하게 됐고 거래선과의 신뢰 및 우호관계를 한층 강화할 수 있게 됐다"고 밝혔다.
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