다우코닝, Low-K 반도체 제조용 차세대 박막 기술로 미국 특허 획득 |
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2007-08-29 11:21
이수원 수석기자 swlee@bodnara.co.kr |
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다우코닝은 저유전율(low-k)의 SiC(silicon carbide)와 H:SiOC(hydrogenated silicon oxycarbide) 박막 제조용 신기술에 대한 미국 특허를 획득했다고 밝혔다.
PECVD(plasma-enhanced chemical vapor deposition) 공정을 사용하는 이 새로운 기술은 실리콘 결합을 팽팽하게 만드는 고리형 실란 화합물로 공급되는 산소 가스에 반응하도록 되어 있다.
최근 칩 제조업체들은 트랜지스터 간의 전기 간섭을 줄이기 위해 low-k 인슐레이팅 소재를 사용하는 추세이다. 이를 통해 트랜지스터를 서로 가까이 두게 되면 파워 효율성이 높은 작고 빠른 칩의 제조가 가능하다. 그러나 반도체 디바이스의 크기가 계속 줄어드는 흐름에 따라 기존의 low-k 필름은 높은 공정 온도로 인해 문제를 일으키는 경우가 빈번해졌으며 이에 따라 칩 연결용 금속 레이어와의 접착력이 약해지기 시작했다.
다우코닝은 새로운 low-k 공정이 차세대 칩의 층간 유전체(interlayer dielectrics) 생산에 적용될 것으로 기대하고 있다. 시작점은 32나노미터 테크 노드이다.
다우코닝의 전자 및 첨단 기술 사업부 글로벌 이사인 예론 블롬하르트(Jeroen Bloemhard)는 “이번 특허를 통해 우리의 실리콘 기술력이 지속적인 향상을 보이고 있음을 다시 한번 입증했으며 IP 보호도 더욱 강화할 수 있게 됐다”면서, “다우코닝은 실리콘 소재 업계에서의 선도적인 입지를 기반으로 향후 시장의 요구를 만족시키도록 연구 및 개발에 지속적으로 투자할 것이다”라고 밝혔다.
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