하이닉스반도체(이하 하이닉스)가 차세대 메모리 반도체인 P램 분야의 원천기술을 보유한 미국 오보닉스(Ovonix)사와 P램 기술에 대한 라이센스 계약을 체결했다고 밝혔다.
P램은 상변화 물질에 전류를 가하면 고체와 액체로 변하는 상변화에 따른 저항의 차이를 이용하는 비휘발성 메모리이다. 보통 D램의 기억 소자는 트랜지스터와 캐패시터로 구성되는데 비해 P램은 캐패시터 대신 트랜지스터와 레지스터로 구성되어 있어 소자 크기는 물론 생산 비용까지 줄일 수 있을 것으로 기대되는 기술이다. D램과 같은 낮은 전압에서 동작이 가능하며, 플래시 메모리보다 10배 이상 빠른 처리 속도로 구현이 가능하여 D램과 플래시 메모리의 장점을 갖춘 것이 특징이다.
하이닉스는 이번 P램 라이센스 계약에 따라 오보닉스와 P램 기술 개발을 비롯해 재료, 공정, 디자인 및 생산 등의 분야에 적극 협력하게 되었다고 설명했으며, 향후 D램과 플래시 메모리를 대체할 수 있는 P램의 성공적인 기술 개발 및 양산을 위해 지속적으로 노력하겠다고 밝혔다.
하이닉스는 지난 7월에 발표한 중장기 마스터 플랜에 따라 2017년까지 매출의 30% 이상을 P램을 포함한 신규 제품군으로 출시할 계획이라고 언급했으며, 이번 P램 라이센스 이전에 이미 지난 8월에 스위스의 이노베이티브 실리콘사와 Z램에 대한 라이센스 계약을 체결한 바 있다. Z램은 트랜지스터로만 구성되어 제품 크기는 물론 생산 비용까지 줄일 수 있는 메모리다.
한편, 삼성전자는 이미 2005년 256Mb P램을 개발한데 이어 지난해 512Mb P램을 개발해 올해 하반기나 내년 초부터 양산에 들어갈 예정이며, Z램 역시 Z모스라는 독자적인 개발을 하고 있다.
최근 D램 가격의 급락으로 국내 기업들의 반도체 시장 매출이 예전같지 못하고 지속적인 공정 개발로 초고속, 고집적 D램 제품을 내놓고 있지만 마땅히 실적 회복의 기미가 보이지 않는 상황에서 차세대 메모리 개발이 D램 시장의 악화를 보완해줄 수 있을지 주목된다.
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