하이닉스, 54nm 1Gb DDR2 D램 인텔 인증 획득 |
|
2007-11-26 13:15
이수원 수석기자 swlee@bodnara.co.kr |
|
|
|
|
|
|
하이닉스반도체(이하 하이닉스)에서 인텔(Intel)사로부터 자사의 54나노(nm) 공정 기술을 적용한 1Gb DDR2 D램 제품에 대한 인증을 획득했다고 밝혔다.
이번에 인텔의 인증을 획득한 54nm 1Gb DDR2 D램은 현재 양산 중인 66nm 공정 대비 50% 이상 생산성이 증가된 제품으로, 800Mbps(초당 800Mb 데이터 처리)의 속도를 지원한다.
하이닉스는 54nm 공정을 적용하기 위해 입체적으로 설계한 '3찬원 트랜지스터 기술'과 '텅스텐 듀얼 폴리 게이트(W-DPG) 공정'으로 누설 전류를 제어해 전력 소비를 줄이면서 동작 속도를 향상시켰고 비용 절감의 효과도 크다고 설명했으며, 향후 수요가 증가할 것으로 기대되는 대용량 PC D램, 그래픽 D램, 모바일 D램 등 다양한 제품에 확대 적용할 계획이라고 언급했다.
새로운 54nm 제조 공정 기술은 1Gb DDR3 D램까지 확대 도입될 예정이며, 새로운 공정의 1Gb DDR2 및 DDR3 D램은 내년 하반기부터 본격 양산된다.
|
|
|
|
|
|
|
보드나라 많이 본 뉴스
MS, 코파일럿 키 변경 기능 공식 지원 계획
애플 폴더블 아이폰, 힌지 내구성 이슈로 출시 지연?
AMD 라이젠 7 5800X3D 10주년 모델 인도 시장 등록, 글로벌 출시될까?
|
보드나라 많이 본 기사
디자인과 성능 모두 시원한 게임 환경,기가바이트 지포스 RTX 5080 AERO OC SFF 제이씨현
하이브리드 워크를 위한 최고의 선택,ATEN Essentials US 스위치 3종
보기 어려운 독특한 구성으로 차별화, MAXSUN 아이크래프트 Z890 퍼시픽 디앤디컴
|
|
|
|
|
|
| 로그인 | 이 페이지의 PC버전 |
|
| Copyright NexGen Research Corp. 2010 |
|
|
