하이닉스, 54nm 1Gb DDR2 D램 인텔 인증 획득

2007-11-26 13:15
이수원 수석기자 swlee@bodnara.co.kr

하이닉스반도체(이하 하이닉스)에서 인텔(Intel)사로부터 자사의 54나노(nm) 공정 기술을 적용한 1Gb DDR2 D램 제품에 대한 인증을 획득했다고 밝혔다.

이번에 인텔의 인증을 획득한 54nm 1Gb DDR2 D램은 현재 양산 중인 66nm 공정 대비 50% 이상 생산성이 증가된 제품으로, 800Mbps(초당 800Mb 데이터 처리)의 속도를 지원한다.

하이닉스는 54nm 공정을 적용하기 위해 입체적으로 설계한 '3찬원 트랜지스터 기술'과 '텅스텐 듀얼 폴리 게이트(W-DPG) 공정'으로 누설 전류를 제어해 전력 소비를 줄이면서 동작 속도를 향상시켰고 비용 절감의 효과도 크다고 설명했으며, 향후 수요가 증가할 것으로 기대되는 대용량 PC D램, 그래픽 D램, 모바일 D램 등 다양한 제품에 확대 적용할 계획이라고 언급했다.

새로운 54nm 제조 공정 기술은 1Gb DDR3 D램까지 확대 도입될 예정이며, 새로운 공정의 1Gb DDR2 및 DDR3 D램은 내년 하반기부터 본격 양산된다.

이 기사의 의견 보기

seel013 (ID)

/ 07-11-26 14:14/ 신고

좋은 소식이군요.
인텔 인증으로 인해 판매하는데 많은 도움을 받을것 같습니다.

x8051 (ID)

/ 07-11-26 15:18/ 신고

좀 더 시장에 활기를 불어넣을수 있을것 같습니다.

blackchh (ID) / 07-11-26 15:57/ 신고

인텔에서 인증까지 받았다니 좋은 소식이네요. 생산성이 향상되니 같은값으로 팔아도 이윤이 더 남겠군요.

ho5945 (ID)

/ 07-11-26 16:10/ 신고

새로운 1Gb DDR2램이 내년 하반기부터 본격적 양산이 시작된다라.. 조금 늦는게 아닐까 싶네요.. 메모리의 발전속도는 기하급수적으로 높은데..

bluemun (ID)

/ 07-11-26 16:11/ 신고

하이닉스 대단하군요. 요즘은 삼성의 기술력보다 하이닉스 기술력이 좋아 보이네요.

kama136 (ID) / 07-11-26 16:58/ 신고

내년에는 컴포넌트가 양면으로 구성된 2Gbyte 단일 모듈 제품들의 가격대가 저렴해지고 주류를 이룰 듯 싶네요.

happygump (ID) / 07-11-26 17:10/ 신고

65nm대비 50% 생산성이 좋아지면 경쟁사들을 충분히 따돌릴 수 있겠네요.

godanhan (ID) / 07-11-26 19:26/ 신고

메모리값이 바닥을 치고 있는 이때에 뭔가 좋은 소식이군요.

kss8569 (ID)

/ 07-11-26 21:00/ 신고

하이닉스 선전 하네요~ㅎㅎㅎ

joel83 (ID)

/ 07-11-26 22:17/ 신고

더욱 기술적으로 번창하는 하이닉스 되시길 ^^

ohye701 (ID)

/ 07-11-26 22:23/ 신고

초당 100MB를 처리가능하단 이야기군요.

et7124 (ID) / 07-11-26 22:54/ 신고

내년에 하반지 부터 새로운 DDR2를 양산한다는 소리는 아직 DDR2는

여전히 막대한 수요가 필요하다는 소리가 되는건가요..

sky0734 (ID)

/ 07-11-26 23:31/ 신고

기술력에서 타사 보다 훨씬 앞서있는 것 같네요.

y20303 (ID)

/ 07-11-27 2:07/ 신고

DDR2의 또다른 매력으로 접근할수 있는 좋은제품이 나왔으면 좋겠습니다.

blasty (ID)

/ 07-11-27 8:25/ 신고

하이닉스 제품 가격만 좀 저렴하면 좋겠는데...

yuhwa (ID)

/ 07-11-27 8:56/ 신고

하이닉스의 경쟁력이 더욱 높아지겠네요.

pg1313 (ID)

/ 07-11-27 20:51/ 신고

흐흐 하이닉스의 주식은 거꾸로 가도 기술 발전으로 바로 가는군요.
힘내서 더욱 앞서가는 모습 보길 기대합니다.

splicer (ID) / 07-11-28 11:24/ 신고

근데 하이닉스 제품은 타사 제품보다 가격이 높은 게 흠이네요....

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