삼성전자, 50나노급 2Gb DDR3 D램 개발 |
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2008-09-29 11:39
이수원 수석기자 swlee@bodnara.co.kr |
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삼성전자가 세계 최초로 50나노(nm)급 공정을 적용한 2기가비트(Gb) DDR3 D램 개발에 성공해 10월부터 양산에 들어간다고 밝혔다.
50나노 2Gb DDR3는 지난 2007년 삼성전자가 개발한 60나노 2Gb DDR2 D램의 최대 속도인 800Mbps보다 약 1.6배 높은 1333Mbps(1.3Gbps)의 속도를 구현했으며, 단품 칩의 크기도 작아져 생산 효율도 기존 대비 60% 이상 향상되었다.
특히 기존 2Gb DDR2 D램 단품의 경우 칩 사이즈가 커서 고용량 모듈 제품을 만들기 위해서는 패키지 적층 기술(DDP)를 적용해 2Gb 칩 2개를 하나로 만들어 탑재해야 했지만, 이번에 개발된 50나노급 DDR3 D램은 적층 기술 없이 고용량 모듈 제작이 가능해 원가 절감도 기대할 수 있다.
이에 따라 1Gb DDR3 D램 칩을 사용했던 서버용 16GB DDR3 모듈 역시 4단 적층 기술 대신 2단 패키지 적층 기술로 양산되고 사용되는 칩 갯수도 줄어 원가 절감 및 소비 전력도 줄일 수 있게 될 전망이다.
삼성전자는 이번에 개발한 2Gb D램 솔루션으로 고용량 DDR3 모듈을 양산할 예정으로 서버용 8GB RDIMM, 워크스테이션 및 데스크탑 PC용 4GB UDIMM, 노트북용 4GB SODIMM 등을 제작하는 등 다양한 응용처에 대해 메모리 솔루션 용량 확대를 가속화할 예정이다.
삼성전자 측은 50나노급 2Gb DDR3 D램 출시를 계기로 PC 시장에서 프리미엄 서버 시장에 이르기까지, 향후 수년 이내 D램 시장의 주력 제품이 될 2기가 DDR3 제품군에서 확실한 주도권을 확보하게 되었다고 언급했다.
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