하이닉스, 2Gb 모바일 D램 세계최초 개발 |
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2008-12-04 13:00
장홍식 대표기자 
potatotree@bodnara.co.kr |
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하이닉스반도체(대표 김종갑, www.hynix.co.kr)는 54나노 기술을 적용한 2기가비트(Gb) 모바일 D램 제품을 세계 최초로 개발했다고 3일 밝혔다.
이 제품은 세계 최초로 54나노 초미세 공정이 적용된 2기가비트 고용량 제품으로 MCP (멀티칩패키지)와 PoP (패키지 온 패키지) 제품에 들어가는 모바일 D램 제품 중, 현재 시중의 최대 용량인 1기가비트 제품에 비해 2배의 용량을 구현할 수 있다.
전력 소비도 기존의 메모리 제품 대비 1/8에 불과해 장시간 사용하는 휴대전화, 디지털 카메라, MP3 플레이어, 네비게이션 등의 제품에 적합하다. 또한 1.2V 초저전력으로 동작이 가능하며, 최대 400Mbps의 데이터 전송 속도를 구현할 수 있어 32개의 정보출입구(I/O)를 통해 초당 1.6기가바이트(GB) 가량의 데이터를 처리할 수 있다. 이 제품은 SDR/DDR, x16/x32와 같은 다양한 방식 지원이 가능해, 탑재되는 기기의 사양에 맞추어 변경해 사용할 수 있는 '원 칩 솔루션' 기능도 갖추고 있다.
이번 제품은 MID 비롯한 UMPC 등의 차세대 애플리케이션에 지원이 가능해 고용량화∙저전력화∙고속화∙소형화로 급변하고 있는 모바일 시장을 선도할 것으로 보인다. 국제반도체표준협의 기구(JEDEC) 규격을 만족하는 이 제품은 내년 상반기부터 양산될 예정이다.
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