삼성, 세계 최고 속도 박막 트랜지스터 개발 |
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2008-12-15 12:05
김찬호 前 기자 
press@bodnara.co.kr |
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삼성전자 종합기술원이 차세대 디스플레이, 반도체 등 광범위하게 적용 가능한 '비정질 산화물 박막 트랜지스터(Amorphous Oxide Thin Film Transistor)' 신기술을 개발하는데 성공했다고 밝히며, 삼성전자는 15일(현지시각) 미국 샌프란시스코에서 열린 세계 3대 반도체 학술 모임인 "2008 세계전자소자학회 (IEDM; IEEE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING)"에서 이 기술을 발표할 예정이다.
이번에 발표한 기술은 기존 산화물 박막 트랜지스터의 단일 채널 구조를 이중 채널 구조로 변경하여 기존 보다 3배 이상 향상된 수준의 전자 이동도(~130㎠/V.sec)를 확보함과 동시에 문턱전압(Threshold Voltage; 박막 트랜지스터를 동작시키는 전압)을 제어할 수 있도록 한 특징을 갖고 있다.
삼성전자가 구현한 이중 채널 구조는 이동도가 큰 산화물과 필요한 문턱전압을 갖는 산화물을 접합한 것이라고 설명했다. 삼성전자는 이 기술이 현재 사용하고 있는 LCD 디스플레이 소자 뿐 아니라, AM-OLED, 플렉시블 디스플레이와 같은 차세대 디스플레이, 태양전지(Solar Cell), LED, 센서 등에도 적용이 가능하다고 밝혔다. 또한, 투명한 특징이 있어 고글, 건물의 유리창, 자동차 유리 등 투명 디스플레이에도 적용할 수 있다.
이 기술의 또 하나의 장점은 제조 공정이 현재 LCD 디스플레이 양산 공정과 동일하여 신규 투자비를 최소화 할 수 있으며, 주변회로를 패널 내부에 내장할 수 있어 제품 단가를 크게 낮출 수 있다는 것이라고 회사측은 전했다. |
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