하이닉스, 20나노급 낸드플래시 개발 |
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2010-02-09 11:18
이수원 수석기자 swlee@bodnara.co.kr |
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하이닉스반도체(이하 하이닉스)에서 20나노급 64Gb(기가비트) 제품 개발에 성공했다.
하이닉스의 이번 20나노급 낸드플래시 제품 개발은 인텔과 ST마이크로의 합작사인 뉴모닉스와 분업을 통한 공동 기술 개발로 완성한 것으로, 지난 2009년 8월 30나노급 기술을 적용한 32Gb 낸드 플래시 제품에 이어 6개월 만에 20나노급 64Gb 제품 개발에 성공한 하이닉스는 이번 개발로 낸드플래시 분야에서 업계 최고 수준의 기술 경쟁력을 확보하게 됐다고 밝혔다.
20나노급 64Gb 제품은 올해 3분기부터 양산될 예정이며 하이닉스는 낸드플래시 전용인 청주공장에 올해 약 7천억원의 현금 투자를 포함해 약 1조원의 설비 투자를 집행해 생산능력을 2배로 끌어올려 시장점유율을 확대할 것이라고 언급했다.
한편, 하이닉스 측은 향후 통신기술에 사용되는 '노이즈 제거'기술을 개발해 적용할 경우 낸드플래시 공정 미세화의 한계를 20나노급 이하까지 확장해 10나노급 낸드플래시 생산도 가능할 것이라고 언급했다.
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