엘피다, 30nm 2Gb DDR3 SDRAM 개발 |
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2010-09-30 11:00
이수원 수석기자 swlee@bodnara.co.kr |
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엘피다(ELPIDA)에서 세계 최소 면적의 30nm 공정 2Gb DDR3 SDRAM을 개발했다고 발표했다.
이번에 개발된 30nm 공정 2Gb DDR3 SDRAM은 엘피다의 기존 40nm 공정 제품 대비 웨이퍼당 칩 생산량이 약 45% 가량 증가해 가격 경쟁력이 높아진 것으로 알려졌다.
성능 면에서는 2011년 이후 본격화가 예상되는 DDR3-1866MHz 및 1.35V 저전압 구동을 지원하며, 기존 40nm 제품에 비해 대기 전류가 작동시 약 15%, 대기시 약 10%까지 감소했다.
엘피다는 30nm 2Gb DDR3 SDRAM을 올해 12월에 샘플 출하 및 양산에 들어갈 예정이라고 언급했다. 또한 이번에 개발된 30nm 공정 기술이 향후 모바일 DRAM에 적용할 것이라고 덧붙였다.
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