엘피다, 30nm 2Gb DDR3 SDRAM 개발 |
|
2010-09-30 11:00
이수원 수석기자 swlee@bodnara.co.kr |
|
|
|
|
|
|
엘피다(ELPIDA)에서 세계 최소 면적의 30nm 공정 2Gb DDR3 SDRAM을 개발했다고 발표했다.
이번에 개발된 30nm 공정 2Gb DDR3 SDRAM은 엘피다의 기존 40nm 공정 제품 대비 웨이퍼당 칩 생산량이 약 45% 가량 증가해 가격 경쟁력이 높아진 것으로 알려졌다.
성능 면에서는 2011년 이후 본격화가 예상되는 DDR3-1866MHz 및 1.35V 저전압 구동을 지원하며, 기존 40nm 제품에 비해 대기 전류가 작동시 약 15%, 대기시 약 10%까지 감소했다.
엘피다는 30nm 2Gb DDR3 SDRAM을 올해 12월에 샘플 출하 및 양산에 들어갈 예정이라고 언급했다. 또한 이번에 개발된 30nm 공정 기술이 향후 모바일 DRAM에 적용할 것이라고 덧붙였다.
|
|
|
|
|
|
|
보드나라 많이 본 뉴스
엔비디아, 신경망 활용 VRAM 필요량 85% 감소 압축 기술 NTC 발표
MS, 윈도우 11 24H2 사용자에 25H2 강제 설치 진행
|
보드나라 많이 본 기사
인텔 메인스트림 CPU의 왕위 계승, 코어 울트라 7 270K Plus
DDR5·HBM 메모리 폭등의 유일한 해결법 반도체 증설 현황 총정리, 삼성전자·SK하이닉스·마이크론 [메모리 가격 폭등 7부]
신중한 SSD 선택의 가치, ESSENCORE KLEVV CRAS C925G M.2 NVMe (2TB)
|
|
|
|
|
|
| 로그인 | 이 페이지의 PC버전 |
|
| Copyright NexGen Research Corp. 2010 |
|
|
