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엘피다, 30nm 2Gb DDR3 SDRAM 개발

2010-09-30 11:00
이수원 수석기자 swlee@bodnara.co.kr

 

엘피다(ELPIDA)에서 세계 최소 면적의 30nm 공정 2Gb DDR3 SDRAM을 개발했다고 발표했다.


이번에 개발된 30nm 공정 2Gb DDR3 SDRAM은 엘피다의 기존 40nm 공정 제품 대비 웨이퍼당 칩 생산량이 약 45% 가량 증가해 가격 경쟁력이 높아진 것으로 알려졌다.

성능 면에서는 2011년 이후 본격화가 예상되는 DDR3-1866MHz 및 1.35V 저전압 구동을 지원하며, 기존 40nm 제품에 비해 대기 전류가 작동시 약 15%, 대기시 약 10%까지 감소했다.

엘피다는 30nm 2Gb DDR3 SDRAM을 올해 12월에 샘플 출하 및 양산에 들어갈 예정이라고 언급했다. 또한 이번에 개발된 30nm 공정 기술이 향후 모바일 DRAM에 적용할 것이라고 덧붙였다.

 
이 기사의 의견 보기
허접프로그래머 valkyrie님의 미디어로그 가기  / 10-09-30 12:36/ 신고
이번 엘피다의 30나노 공정 제품 발표가 삼성이나 하이닉스에도 영향을 미치려나요....
마프티 psywind님의 미디어로그 가기  / 10-09-30 20:35/ 신고
램쪽도 이제 미세화공정의 의미는 별로 없는데...
끓여만든배 / 10-10-01 6:14/ 신고
DDR3는 갈수록 작동전압이 낮은 제품이 나오는군요.
설레임 kkp61님의 미디어로그 가기  / 10-10-01 7:55/ 신고
ddr4 에 대한 에측 성능도 나오던데.. ddr3도 정점을 향해 달려나가는것 같네여
팝맨 / 10-10-02 10:17/ 신고
미세공정은 추후 성능향상에 밑바탕이 되지요. 참으로 좋은 소식입니다.
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